Ergänzungen zur Bauelementeliste im PS-Buch


"Die Geschichte der Mikroelektronik-Halbleiterindustrie der DDR"

erschienen Ende 2003 im www.funkverlag.de .


Ge-Leistungstransistor OC846A (FWE)
Ge-Transistoren 2.Generation, Drift- und Mesatransistoren
Thermoelektrische Kühlelemente - eine DDR-Entwicklung
Diacs aus DDR-Produktion
ST108 - Leistungsthyristor
Multivibrator-IC D901D
Transistor-Array A910D - Schwellwertschalter A902D
Uhrenschaltkreis D921
Zeitgeber-Schaltkreis D455
IK72 - Erster Analog-Schaltkreis der DDR
Der erste Mikroprozessor der DDR - Technik und Anwendung
Uhrenschaltkreis U124D
Kamera-IS A321G
Einchip AM/FM-Empfängerschaltung
U5301-FC302 - Gate-Array für CCD-Zeilen
CCD-Sensormatrix
CCD-Sensorzeilen
L301 - CCD-Verzögerungsrzeile
U84C70 - DART und U84C97 - CGC
U7106D - C7136D 3 1/2-Digit AD-Wandler
U809M - ASIC "Vermittlungs-IS"
U840M/PC - Bit-Prozessor zur Ansteuerung von Koordinatenwählschalter
U1620FC - ASIC "DSR-Decoderschaltkreis"
SD335 bis SD340 und SD345 bis SD350
A2014DC - Videoschalter
A3048DC - Infrarot-Empänger-Schaltkreis
U80610 - DRAM-Controller
DS80612DC - Taktgenerator
B3870D - Analog-Prozessorschaltkreis
Weitere Schaltkreise für die PCM-Technik
KD103 - IS aus dem HFO
U1311D - Schaltkreis für Schaltuhren
U5301FC301 - Schaltkreis für inkrementale Messwertverarbeitung
D716X - Schaltkreis für Thermodruckkopf
U8912 - Audio-Schaltkreis für den KCC
U232DC Dual RS232-Treiber/Receiver äquivalent MAX 232
U700-Ableitvariante ?
Verschiedene diskrete Bauelemente
Weitere Bilder zu Bauelementen


Achtung! - Einiges aus den Schriftenreihen zu den Halbleiter-Symposien ist hier nicht aufgeführt.


Des Weiteren gab es auch speziell ausgemessene Bauelemente, so z.B. vom HFO:

A221D - ist ein auf niedrigem Ruhestrom ausgemessener A220D, wahrscheinlich für batteriebetriebene Funkgeräte
A212D - ist ein auf niedrigem Ruhestrom ausgemessener A211D, gleicher Anwendungsbereich
A209K - ist ein besonders ausgemessener A210K für den Einsatz in VK-Stufen in FS-Empfägern
                ähnliches gab es vorher vom A205K -> A204K
A301V - eine Gehäusevariante in 8-DIL vom A301D



Germanium-Leistungstransistor OC846A (FWE)
In den 1950er/1960er Jahren war der VEB Funkwerk Erfurt (FWE) für seine umfangreiche Röhrenproduktion bekannt - Empfänger- und Senderöhren, sowie viele Spezialröhren, wie z.B. Oszillografenröhren. Ende der 1950er Jahre kam es auf Weisung der übergeordneten staatlichen Leitung (VVB Bauelemente und Vakuumtechnik - BuV) zu einer Konzentration der Produktionsprofile der verschiedenen Röhrenhersteller in der DDR (WFB, FWE, RWM, RWN), d.h. zu entsprechenden Spezialisierungsbestrebungen. Die Senderöhrenfertigung im FWE wurde zugunsten der im VEB Werk für Fernsehelektronik Berlin (WFB) eingestellt. Die damit frei werdenden F&E- und Produktionskapazitäten im FWE sollten für neue Erzeugnisse eingesetzt werden. Bemerkenswert ist, dass man sich gleich dem heiklen Thema "Leistungstransistoren" widmete, da doch zu diesem Zeitraum im HFO gerade erste "Gehversuche" mit Halbleiterbauelementen in einer Versuchsproduktion gemacht wurden.

Nach dem vorliegenden Zeitzeugenbericht "Die Entwicklung von Germanium-Leistungstransistoren in den Jahren 1959 bis 1962" von Joseph Lorenz aus dem Elektromuseum Erfurt ist u.a. folgendes zu lesen (Zitat):
"Die bis zu diesem Zeitpunkt selbständige Abteilung "ES" (Entwicklung Senderöhre) wurde in diesem Zusammenhang dem "ZLE" (Zentral-Labor zur Entwicklung von Empfängerröhren) als "ZLE 8" eingegliedert. Die damals durchgeführten Arbeiten können als "Entwicklungsmanufaktur" eingestuft werden."
Kurze Zeit später endschied dann wiederum die VVB BuV (Zitat):
"Eine Transistorproduktion ist eine dem Vakuum-Betrieb artfremde Produktion und damit für das FWE ungeeignet. Sie ist sofort einzustellen", was dann 1963 auch erfolgte - vorläufig, weil bereits gegen Ende der 1960er Jahre diese Auffassung dann schon wieder nicht mehr galt und erneut der Auftrag erteilt wurde, mit einer Entwicklung und Fertigung von Halbleiter-Bauelementen zu beginnen; diesmal in Silizium–MOS–Technik.

Die Ergebnisse der ersten vier Jahre Halbleiterbauelemente-Entwicklung im FWE sind in dem erwähnten Zeitzeugenbericht und einigen Bildern überliefert, die freundlicherweise vom Elektromuseum Erfurt zur Verfügung gestellt wurden.

Ge-Leistungstransistor OC846A Grundlage dieser Entwicklung von 15W-, bzw. 25W-Germanium-Leistungstransistoren im TO3-Gehäuse war offensichtlich eine sowjetische Dokumentation, die auf bisher noch nicht bekannter Weise den Weg in die DDR fand. Der offizielle Weg muss allerdings bezweifelt werden, da erst Mitte der 1960er Jahre die UdSSR zum Technologietransfer bei HL-Bauelementen bereit war - wenn auch nur unter strengen Bestimmungen der Geheimhaltung (siehe Mesa-Transistortechnologie).
Leider ist in dem Bericht nur wenig über weitere technische Parameter enthalten, dafür aber recht ausführliche Beschreibungen zu der - aus heutiger Sicht - primitiven Technologie, die jedoch hauptsächlich die Chip-Herstellung betrifft.
Aussagen zur Verkappungstechnologie - z.B. wo kam das TO3-Gehäuse her - sind leider nicht enthalten. Nach dem Bild kann auf Kupfer als Gehäusematerial geschlossen werden, was - wie dann das HFO Mitte der 1960er Jahre bei der Entwicklung ihrer GD210er-Reihe leidlich erfahren musste - sicherlich auch nicht unproblematisch gewesen sein wird (siehe dazu "Lebenslinien - Der schwere Weg vom Jugendlichen zum Erwachsenen" - Abschnitt: "Der Montage- und Meßautomat für Leistungstransistoren")
Inwieweit das Halbleiterwerk Frankfurt/O. (HFO) bei der Typbezeichnung und Parameter-Abstimmung involviert war, ist (noch) unbekannt - in Hinsicht der späteren Eigenentwicklung einer 15W-Typenreihe (siehe unter Bilder - GD 210 ...)
aber sicherlich von Bedeutung.



Germaniumtransistoren 2. Generation - Drift- und Mesatransistoren
Bereits mit Beginn der Produktion von Ge-Transistoren hatte man im HFO große Probleme mit der Zuverlässigkeit, d.h. Dichtigkeit der zunächst verwendeten flachen Gehäuse der Typenreihe OC810...
Mitte der 60er wurde deshalb eine neue Gehäuse-Technologie eingeführt:
ein modifiziertes Rundgehäuse, ähnlich TO-18. Das gesamte, bis dahin entwickelte Sortiment OC810...823 wurde einer Typenbereinigung unterzogen und ab da in dieses neue Gehäuse montiert. Nachfolgend aufgeführte Typenreihe ist teilweise in der BE-Liste im PS-Buch nicht enthalten.

Type Ub(V) Ic(mA) fT(MHz) F(dB)
GC100 15 15 1 25
GC101 15 15 1 10
GC112 80 150 0,3 -
GC116 20 150 0,5 20
GC117 25 150 1,2 10
GC118 25 150 1,2 5
GC121 25 250 12kHz (fh21e) -
GC122 35 250 12kHz (fh21e) -
GC301 32 500 10kHz (fh21e) -
GS109 20 50 - 25
GS111 / GS112 20 200 - -
GS121 / GS122 30 100 - 25
GF100 15 15 3 15
GF105 15 15 7 20
GF126, GF130 /GF131, GF139, GF181 25 10 - -
GF128 25 10 100 -
GF132 25 10 - 7

Des Weiteren kamen auch neue Technologien hinzu:
- Diffusionstechnologie (Drift-Transistoren) für HF-Transistoren: OC870 ... OC872, siehe Bilder - "weitere Ge-Transistoren"
- Mesa-Transistoren. OC881 ... OC883, siehe hierzu die Spezial-Untersuchung Mesatransistor OC88x.
Später wurden die Nachfolge-Typen GF145...GF147 in der kleineren Variante des Rundgehäuses ähnlich TO-18 montiert. Diese Produktion fand jedoch nicht mehr im HFO statt, sondern wurde nach Neuhaus (RWN) ausgelagert.
Besonders interessant ist, daß beim Typ GF147 bereits die für damalige Verhältnisse hochmoderne Planartechnologie auch auf das Halbleitermaterial Germanium angewendet wurde. Basis war hierzu eine aus dem NSW (England) importierte Technologie, die Chip-Abmessungen von 0,15x0,15mm² ermöglichte und somit die Grundlage schaffte fast bis in den 1000MHz-Bereich vorzudringen.



Thermoelektrische Kühlelemente - eine DDR-Entwicklung
Bereits in den 60er Jahren wurde an der Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg am Problem der wirtschaftlich-technischen Umsetzung des schon seit 1834 bekannten Peltier-Effekts geforscht. In einer Laborfertigung konnten dann Anfang der 70er Jahre Thermoelektrische Kühlelemente hergestellt werden. Es war geplant, später eine Produktion im Röhrenwerk Neuhaus (RWN) zu etablieren.
Einer der Hauptabnehmer sollte der "VEB dkk Scharfenstein" sein, der auf dieser Basis einbaufertige Kühlbatterien (bis ca. 30W) fertigen sollte, die wiederum in vielen Bereichen der Volkswirtschaft Anwendung finden sollten. In einem Halbleiter-Datenbuch des HFO von 1970 sind dazu über 25 Beispiele aufgeführt.
Das Kühlelement "ZB 4" hatte folgende Hauptparameter:

Abmessung = 7,0mm x 4,0mm
UQmax = ca. 0,12V
IQmax = 40A
Qmax = 3,0W

Die Entwicklung wurde sogar soweit vorangtrieben worden, daß es für dieses Bauelement bereits einen Standard gab: TGL 200-8437.
Da die Handhabung von 40A bei 0,1V recht problematisch war und somit der schon so niedrige Wirkungsgrad durch unvermeidliche Verluste noch schlechter wurde, kam es zu keinem größeren Einsatz. Um diesen dennoch weiter zu forcieren, wurden auch Sonderausführungen angeboten:
(1) Halbkreisflächen durch Halbieren der Schenkel (2 Elemente mit je 45% Kühlleisung, 45% Strom)
(2) Quadranten durch Vierteln der Schenkel (4 Elemente mit je 20% Kühlleisung, 20% Strom)
(2) Sechsteilen der Schenkel (6 Elemente mit je 12% Kühlleisung, 12% Strom)



Diacs aus DDR-Produktion
Im Zusammenhang mit der Entwicklung der 3A-Thyristoren ST103 im Werk für Fernsehelektronik Berlin (WFB) wurden 1974 auch so genannte Diac's entwickelt. Diac's sind Mehrschicht-Dioden, die bei einer definierten Spannung lawinenartig durchbrechen und somit einen steilen Stromimpuls liefern, der zum gewünschten Zeitpunkt den Thyristor zum "zünden" bringen kann. Die zu entwickelten Diac's SR101/1 bis SR101/3 hatten folgende Zielparameter:

UB0 = 28V (+/-4V)
PVmax = 150mW
IM = 1,0A
IF = 10mA

Die Diac's kamen genauso wie die Thyristoren vom WFB nie aus dem Entwicklungsstadium heraus und wurden dann ebenfalls in die CSSR spezialisiert. Die Typbezeichnung war dort:
KR204 bis KR206.



Leistungsthyristor ST108
Für die historischen Aufarbeitung zur "125-jährigen Geschichte der Elektrotechnischen Industrie Berlin-Brandenburg" stellte der Autor Dipl.-Ing. Helmut Kappelhof - langjähriger Mitarbeiter in leitender Position im Gleichrichterwerk Stahnsdorf (GWS) - vor einiger Zeit eine Arbeit mit dem Titel "Die Entwicklung der Halbleitertechnik in Stahnsdorf bei Potsdam ab 1959" vor.
Dort ist neben den bereits bekannten Thyristoren auch ein Hinweis auf den ST108 zu finden.
Es handelte sich dabei um einen 6A-Typ mit 400V Sperrspannung, welcher einem modifizierten Einpreß-Gehäusetyp gefertigt werden sollte, ähnlich dem der massenweise hergestellen "KFZ-Dioden" SY170/171. Die Modifizierung bezog sich dabei auf den dritten Anschluß.
Die Enwicklung war soweit abgeschlossen, jedoch kam es zu keiner Produktionsüberleitung. Gründe dafür waren einerseits das bereits in Kraft getretenen Spezialisierungsabkommen mit der UdSSR, nachdem alle leistungselektronischen Bauelemente - dazu gehörten auch diese Thyristoren - zukünftig nur noch von dort bezogen werden sollten, aber andererseits auch, daß die vorhanden Produktionskapazitäten dringend für die neu eingeführte Erzeugnislinie "Si-Hochspannungstransistoren" benötigt wurden.
Einige ST108-Exemplare aus der Laborfertigung tauchten dann kurzzeitig noch in einschlägigen RFT-Bastlerläden auf. Die Verkaufserfolge waren sicherlich genauso bescheiden, wie die der vielen "dicken Russen-Thyristoren"...



Multivibrator-Schaltkreis D901C
Der Multivibrator-Schaltkreis D901C wurde 1974 in der Arbeitsstelle für Molekularelektronik Dresden (AMD) auf Basis der gerade eingeführten TTL-Technologie (D100-Reihe) als erste Eigenschöpfung ohne Vorbildtyp entwickelt. Angedachte Einsatzgebiete waren:
- Taktgeber für TTL-Systeme bis 10MHz,
- Scheibenwischer-Intervall-Schalter,
- Lichtmaschinen-Regler,
- Dämmerungsschalter u.v.a.m.

Da insbesondere seitens der KFZ-Industrie der DDR diesem Vorhaben nur wenig Interesse entgegengebracht wurde, ging dieser Schaltkreis nie in Produktion, bzw. in die Überleitung zum HFO.

Dr.-Ing. Dietrich Armgarth: "Integrierter astabiler Multivibrator D901C", rfe 23 (1974), H11, S361-365



Das Transistor-Array A910D und Schwellwertschalter A902D
Bisher galt der Schaltkreis B340 als erstes Transistor-Array aus HFO-Produktion. Dabei wurde übersehen, daß es bereits Mitte der 70er Jahre auch von der AMD ein Transistor-Array mit der Bezeichnung A910D gab, was allerdings über die Nullserienproduktion nie hinausgekommen ist, d.h. eine Überleitung zur Massenproduktion im HFO fand nie statt. Der ursprünglicher Verwendungszweck im Zusammenhang mit dem ebenfalls dafür vorgesehenen Schwellwertschalter A902D war der Einsatz in Erzeugnissen der DDR-Kameraindustrie (Pentacon).
Jedenfalls kamen nach Berichten in der Fachpresse Anfang 1980 einmalig größere Mengen in den Elektronikhandel, sowohl in der Original- als auch in der Amateurversion als R910D.
Ab 1979 wurde allerdings der Schwellwertschalter A902D dann als A302D im Röhrenwerk Neuhaus in Serie produziert.

Dipl.-Ing. Dietrich Armgarth: "Integrierte Schaltungen für Kameras", rfe 25 (1976), H10, S333-335
Dipl.-Ing. Klaus Schlenzig: "Ruhestromfreier Signalgenerator", rfe 29 (1980), H4, S261-262



Uhrenschaltkreis D921
Auf dem 7. Halbleitersymposium in Frankfurt/O (1975) wurde ein bipolarer Uhrenschaltkreis D921, bestehend aus einem 15-stufigem Frequenzteiler, vorgestellt. Weitere Daten:

Eingangsfrequenz: 32768 Hz
Ausgangsfrequenz: 1 Hz
(2x um 0,5 Hz versetzte Impulsausgänge)
Impulslänge: 31,25ms
Betriebsspannungsbereich: 1,1...1,7V
Temperaturbereich: 0...70°C

In Ermangelung geeigneter weiterer Miniaturbauelemente kam es zum prakischen Einsatz in der Uhrenindustrie ( Ruhla bzw. Glashütte ) jedoch erst viel später mit den Typen U113F/U114D, U124D bzw. U118F.

Tagungsunterlagen des 7. Halbleitersymposiums Frankfurt/O (1975), zitiert in "Leserpost", rfe 30 (1981), H1, S6



Zeitgeber-Schaltkreis "D455"
Im Zuge von Fremdmuster-Untersuchungen bzgl. Technologie und Schaltungstechnik wurde bei AMD/ZMD in der "Dresdner HighTech-Schmiede" auch der NE555 bearbeitet. Obwohl nach wesentlichem Abschluß der "Grundlagen-Entwicklung TTL-Technologie" Mitte der 70er Jahre schwerpunktmäßig durch Staatplanvorgaben MOS-Technologien zu bearbeiten gewesen sind, wurde "klamm heimlich" auch noch weiter an bipolaren Technologien gearbeitet. So entstanden die o.g. genannten Bauelemente und eben auch der "D455" als erweiterter Nachbau des berühmten "555", welcher mittlerweile von vielen Halbleiterherstellern weltweit angeboten wurde. Erweitert deshalb, weil entsprechend dem Wunsch des potentiellen Hauptabnehmers "VEB EAW Berlin" noch zwei separate Transistoren mit auf den Chip sollten.
Infolge von Bilanzproblemen wurde das Bauelement nie offiziell in den F/E-Plan der AMD/ZMD eingeordnet. Somit blieb es bei Funktionsmustern auf dem Niveau des Entwicklungsstadiums und eine Produktion kam somit gar nicht in Frage. Viel später - erst 1982 - wurden dann im HFO mit dem B555D auch "555"-Clone hergestellt.
Sollten Leser noch weitere, insbesondere technische Dokumente zu diesem BE besitzen - diese Informationen könnte hier dann ergänzend veröffentlicht werden.



Der erste Analog-Schaltkreis der DDR "IK72"
Bisher wurde immer davon ausgegangen, daß die TTL-Reihe D100 die ersten monolithisch integrierten Schaltkreise in der DDR waren und daß die monolithische Integration in der DDR ausschließlich in Prof. Hartmann's AMD entwickelt wurde. Daß dem wirklich so war, kann allenfalls nur für die Digitaltechnik gelten.
Für die analoge Schaltungsintegration hingegen wurde bereits Ende der 60er Jahre in einem ausgelagerten F/E-Bereich des HFO in Stahnsdorf grundlegende Forschung betrieben. Als Ergebnis konnte 1972 die labormäßige Entwicklung einer einfachen Differenzverstärkeranordnung mit Konstantstromquelle mit der Bezeichnung "IK72" vorgestellt werden. Hauptinitiator dieses Vorhabens war aber ein mit LVO-Priorität gleichgestellter Auftrag der Akademie der Wissenschaften der DDR (AdW), der das gemeinsam mit der UdSSR zu realisierende Interkosmos-Programm betraf. Daher auch das Kürzel in der Bauelemente-Bezeichnung "IK" und "72" für das Fertigstellungsjahr.
Leider liegen außer ein paar Mustern, einem Chipfoto und der u.g. Literaturquelle bis jetzt noch keine weiteren Hinweise oder technische Daten dieser historisch interessanten Bauelemente vor.
Dieser Schaltkreis war zugleich die Basisentwicklung für die späteren analogen integrierten Schaltkreise, beginnend mit A109D, B109D, (beides Operationsverstärker), sowie dem A110D, B110D (beides Komparatoren).

Dipl.-Ing. Dieter Oertel, Dipl.-Ing Burghard Rebel und Dipl.-Ing. Peter Sudau: Untersuchung eines Analogmultiplizieres auf der Basis des integrierten Differenzverstärkers IK72, rfe 23 (1974), H18, S603-605



U808D - Der erste Mikroprozessor der DDR - Technik und Anwendung
Ergänzend zu den Ausführungen zum U808D im PS-Buch kann in der nachfolgend angegebenen Literatur näheres über Technik und Anwendung nachgelesen werden.

Dipl.-Ing. Michael Höhne: Der Mikroprozessor U808D - Teil 1, rfe 26 (1977), H5, S145-150; Teil 2, rfe 26 (1977), H6, S187-188, S197-198

Im Gegensatz zu dem zur damaligen Zeit vorherrschenden modularen Systemaufbaus bei Mikrorechnern sind bereits 1979 erste Ansätze zu erkennen, kleine kompakte Einheiten zu schaffen, mit denen u.a. universelle programmierbare Steuerungsaufgaben zu lösen waren. Mit diesen so genannten "Einplatinenrechnern" wurde der Einzug der Mikrorechentechnik in vielen Bereichen der Volkswirtschaft begründet, auch solchen, die nicht vordergründig elektrotechnisch ausgerichtet waren. Dieser Trend setzte sich dann später verstärkt mit dem Vorhandensein der Einchip-Mikrorechner durch.

Dipl.-Ing. Norbert Wengel: Einplatinenrechner mit U808D, rfe 28 (1979), H9, S554-557;



Uhrenschaltkreis U124D
Der als elektronische Ablösung mechanischer Uhrenwerke für Wohnraumuhren vorgesehene quarzgesteuerte Taktgeber U124D wurde seit etwa Anfang 1980 im FWE oder direkt in Ruhla auf Basis einer Import-Technologie aus dem NSW produziert. Ausgehend von einer Quarzfrequenz von 4,194304 MHz wurde über einen vielstufigen Frequenzteiler ein Schrittmotor angesteuert, der ein übliches Zeiger-Uhrwerk antrieb.
Das Bauelement wurde in keiner offiziellen Dokumentation aus dem Kombinat Mikroelektronik erwähnt, deshalb sind dessen technische Daten weitestgehend unbekannt:

Betriebsspannung: 1,2 ... 1,7V
Umgebungstemperatur: -10 ... 70°C
Schrittmotorwiderstand: >300 Ohm
Quarzfrequenz: 4,194304 MHz
Lastkapazität. 42,5 ... 70 µF
Abgleichkapazität: 10 ... 40 pF
Fetskapazität: 16 ... 24 pF

Grenzwerte:
Betriebsspannung (UDD) -0,3 ... 2,5V
Eingangsspannungen -0,3 ... UDD
Betriebstemperaturbereich -10 ... 70 °C
Lagerungstemperaturbereich -55 ... 125 °C

Dipl.-Ing. Klaus Schlenzig: Taktgeberschaltungen mit U124D, rfe 30 (1981), H3, S160-161



A321G - Kamera-Schaltkreis
Ende der 70er/Anfang der 80er Jahre zog die integrierte Halbleiter-Elektronik auch in die Erzeugnisse der Kameraindustrie der DDR ein. Ein prädestiniertes Beispiel dafür ist die einäugige Spiegelrefexkamera "Praktika B200" aus dem VEB Pentacon Dresden. Kundenspezifische Schaltkreise in miniaturisierter Flat-Pack-Bauform aus dem HFO machte es möglich, viele Funktionen zu automatisieren und somit einen hohen Gebrauchswert zu realisieren. Neben dem im PS-Buch bereits aufgelisteten A311D kam auch der weniger bekannte Typ A321G zum Einsatz.

Siegfried Schütze, Claus Künel: Spiegelreflexkamera Praktika B200, rfe 30 (1981), H8, S479-483



A283D - Ein komplettes AM/FM-Radio auf einem Chip
Als Beispiel hochgestochener Integration ist zur damaligen Zeit dieses "Einchip"-Radio aus dem HFO zu sehen. Es sind nicht nur alle zum Empfang von AM- (MW/KW) und FM-Sendern (UKW) notwendigen Schaltungsteile auf einem Chip integriert, sondern auch ein NF-Verstärker mit Pa = 300mW - also die richtige Größe für ein Taschenradio. Im Wesentlichen brauchte nur Ferrit-Antenne für den AM-Empfang, ein geeigneter Drehko für beide Bereiche - oder entsprechende Abstimm-Kapazitätsdioden, ein oder zwei Potis, sowie der Lautsprecher vorgesehen werden und schon hatte man eine fertige Empfänger-Schaltung.
Dieser Schaltkreis wurde insbesondere für die so genannten "Uhren-Wecker-Radios" - eine Konsumgüter-Produktion des HFO eingesetzt. Unterlagen sind in der Datenblattsammlung 1981 zu finden.



U5301-FC302 - Gate-Array für CCD-Zeilen
Ebenfalls im Rahmen des Interkosmosprogramms - nur wesentlich später gegen Ende der 80er Jahre - wurde vom Institut für Kosmosforschung der AdW in Zusammenarbeit mit CZ auf der Grundlage des Gate-Array-Systems U5300 ein spezieller Schaltkreis für die periphere Ansteuerung von CCD-Zeilen-Sensoren für optoelektronische Scanner entwickelt. Der IC war so universell konzipiert, daß bis zu 7 Stück aller in der DDR gefertigten CCD-Zeilen angesteuert werden konnten und außerdem noch eine Kaskadierung möglich war. Durch den Zugriff auf 17 interne Register können eine Vielzahl von Funktionen und Parametern frei gewählt werden, so z.B.:
- Sensorabfrage,
- Sensorsteuerung,
- Datenauswahl und -Komprimierung.
Dabei wird der gesamte Prozeß der Signalgewinnung gesteuert:
- Pixelsignalwerterfassung,
- Makropixelerzeugung,
- Triggerung des AD-Wandlers und Zwischenspeichers.
Die Hauptbaugruppen sind: Timer, Sensorsteuerung, Speicherverwaltung und I/O-Portsteuerung.
Leider existiert zu diesem interessanten IC keine weiteren Datenangaben, auch ist nicht bekannt, ob je funktionsfähige Muster eingesetzt werden konnten.



CCD-Sensormatrix
Während die CCD-Zeilen L110C und L133C bereits seit Anfang der 80er Jahre im Werk für Fernsehelektronik (WFB) produziert wurden, konnte mit der CCD-Matrix L216C ab 1986 in neue Dimensionen, d.h in die der zweidimensionalen Abtastung vorgestoßen werden. Zwar war die Auflösung von 16x64 Bildpunkten noch weit entfernt vom eigentlichen Ziel, nämlich optische Sensoren mit Fernsehbild-Qualität herzustellen. Dies gelang dann Ende der 80er Jahre - wie bereits im Buch erwähnt - mit den CCD-Matrizen L211C (190x244) zunächst nur teilweise, aber kurz vor der Wende mit der L220C (512x576) dann doch noch vollständig.
Das Bauelement L216C wurde vorzugsweise für den Einsatz in dem Klarschriftleser K6710 des Kombinats ROBOTRON entwickelt. Funktionsbestimmend war dafür:
- quadratische Bildpunktraster
- Vollbildauslesung
- Auslesetakt >= 2,5 MHz (Rechnertakt)
Die CCD-Matrix besteht aus 25 (horizontalen) Zeilen mit je 64 (vertikalen) Zellen. Von den 25 horizontalen Elementen je Zeile sind jedoch nur 16 lichtempfindlich. Die übrigen Zellen werden zur Dunkelsignalreferenz-Erzeugung benötigt, bzw. im Randbereich zur Abschirmung von parasitären Ladungseinflüssen. Die Matrix arbeitet nach dem Zwischenspalten-Übertragungsprinzip, d.h. zwischen jeder Spalte lichtempfindlicher Elemente befindet sich ein analoges CCD-Schieberegister. Diese münden in ein Horizontal-Schieberegister mit einer Ladungsdetektorschaltung am Ende, welches aus einem Reset-Floating-Gate-Verstärker mit einer Sample- und Hold-Stufe gebildet wird. Eine mit auf dem Chip integrierte Randelektronik dient der Erzeugung verschiedenen Takte für die Schieberegister und die Sample- und Hold-Stufe.
Das Bild zeigt den inneren Aufbau und Funktionsweise.

Ergänzung: In diesem Zusammenhang sei auf den Insiderbericht "Die letzten Opto aus dem WFB" verwiesen.

(1) Dr. Rainer Stefani, Dipl.-Ing. Jörg Löser: CCD-Sensormatrix L216C, rfe 35 (1986), H7, S450-451
(2) Dipl.-Phys. T. Brosowski, Dr. re. Nat, K. Ellmer, Dipl.-Phys. C. Illgen, Dr. rer. nat. R. Jurgeit, Dipl.-Ing. J. Löser, Dr. rer. nat. R. Nürnberg, Dr.-Ing. R. Stephani, Dr. rer. nat. F. Täubner, Dr. rer. nat. W. Titel: CCD-Sensormatrix L220CF, rfe 1990/4/212-215
(3) Dipl.-Ing. Rainer Arnold, Dipl.-Ing. Wilfried Flegel, Dipl.-Ing. Dieter Pferner: Integrierte Ansteuerschaltung U2200PC, rfe 1990/4/207-211
(4) Dr.-Ing. Thomas Wolf, Dipl.-Ing. Matthias Fischer: Videointerface für die CCD-Matrix L211, rfe 1988/12/801-803
(5) Dipl.-Ing. Lothar Fiedler, Dipl.-Ing. Rainer Holz: CCD-Videokamera mit TV-Norm, rfe 1989/12/801-804



CCD-Sensorzeilen
Auf dem letzten Halbleitersymposium 1989 in Frankfort/O wurde über Weiterentwicklungen der L110C bzw. der L133C für weitere Anwendungen bzw. erweiterterte Spektralbereiche berichtet. Anwendungen war vor allem in die Spektroskopie vorgesehen. Es wurde von den Bauelementen L115C und L173C aus dem WFB berichtet.
Vor allem die L173C scheint ein hochinteressantes Bauelement zu sein. Es besteht aus 2 Sensorzeilen im Abstand von 3,1mm mit je 512 Elementen der Größe 300 x 13 Mikrometer. Beide Sensoren sind ausführlich in Text und Bild in den Unterlagen zu den Halbleiter-Symposien Frankfurt/O beschrieben worden.



CCD-Verzögerunszeile
Es ist schon lange bekannt - vor allem aus militärischen Anwendungen, daß mittels der CCD-Technologie Signale für kurze Zeit verzögert, d.h. gespeichert werden können. Auch im WFB hatte man an diese Applikationen für die vorhandene CCD-Technologie (CCD-Sensorzeilen und Matrizen) gedacht und erste Untersuchungen angestellt. Vordergründiges Anwendungsgebiet sollte die Videotechnik sein. Bei deren Übertragungstechnik ist es immer mal wieder notwendig, Signale so lange zu verzögern, daß sie in das vorgegebene Zeitschema passen. Bekanntestes Beispiel dafür sind die Verzögerungsleitungen in Farbfernsehempfängern. Sowohl das PAL-, wie auch das in der DDR damals noch verwendete SECAM-Verfahren erforderten z.B. die Verzögerung des Videosignal für den Zeitraum einer Videozeile, d.h. für ca. 64µs. Zum damaligen Zeitpunkt wurden solche Verzögerungsleitungen über Laufzeiteffekte in Quarzglaskörpern realisiert (CV20/CV40 - ebenfalls eine WFB-Entwicklung, deren Produktion jedoch in das Berliner SECURA-Werk ausgelagert wurde).
Es lag also nahe, Alternativen für diese immer noch voluminösen Bauelemente mithilfe der CCD-Technologie zu finden. In der angegebenen Literaturstelle gibt es leider kein Datenblatt mit übersichtlicher Parameter-Angabe - trotzdem hier eine Zusammenfassung aus dem Text:

Anzahl der Verzögerungsstufen: 283
Betriebsspannung: 5V/12V
Chipmaße: 1,2mm x 1,2mm
Taktfrequenz: 4,43361875 MHz
Grenzfrequenz: 5 MHz (10 MHz)
Dynamikbereich: typ. 65dB
Durchlaßverstärkung: ca. 0,44
Rauschspannung: ca. 287 µV
            Chip-Foto L301
Das Bauelement wurde Anfang der 1990er Jahre nicht mehr weiterentwickelt, weil das WFB an SAMSUNG verkauft wurde und dort für kurze Zeit nur noch Bildröhren hergestellt wurden. Der Forschungsbereich "F&E für hochintegrierte optische Sensoren" wurde geschlossen.
In der Literaturstelle berichtete der Autor auch darüber, daß bei ihm noch einige Exemplare Versuchsmuster vorrätig sind.

(1) Dipl.-Ing. Michael Pierschel: CCD-Verzögerungszeilen, rfe 41 (1992), H1, S15-17, H2, S104-106, S118
(2) Jens Knabe: CCD-Sensorzeile L143C, rfe 39 (1990), H12, S803-804, 40 (1991), H7, S379



Ergänzungsschaltkreise zum "CMOS-U880" - U84C70 und U84C97
Im VEB Mikroelektronik Erfurt (MME) ging noch 1989 ein 8-Bit-CMOS-Mikroprozessorsystem in Produktion, welches in Ablösung des alten U880-Systems geplant war. Das CMOS-System hat große Vorteile, vor allem dann, wenn es in transportablen, d.h. Batterie-gespeisten Applikationen eingesetzt werden soll. Hier spielt der Stromverbrauch eine entscheidende Rolle und mit einem Zehntel der Stromaufnahme oder noch weniger (im Vergleich zum U880-System), konnte man dann von wesentlich längerer Betriebdauer ausgehen.
Hier das Bild eines Entwicklungsmusters - noch im 48pol. DIL-Gehäuse in Keramik - später dann serienmäßig in 40pol. Plast-DIL:
CMOS-CPU U84C00 48pol. Keramik-DIL
Es war sowohl eine 2,5MHz-, als auch eine 4MHz-Typenreihe (CPU, PIO, CTC,SIO) vorgesehen. Dazu sind noch zwei Ergänzungs-Schaltkreise hinzu gekommen, die in dieser Art beim alten U880-System fehlen:

U84C70 - DART
Dieser Schaltkreis hat nichts mit einem "DART-Spiel" zu tun, sondern es handelt sich um einen speziellen IS zur seriellen Ein- und Ausgabe. Weitere Informationen, insbesondere Datenblatt liegen leider (noch) nicht vor.

U84C97 - CGC
Auch der U84C97 ist in dieser Form beim U880-System nicht zu finden, eher schon beim 8086-System als Taktgeber-Schaltkreis, welcher auch im HFO als DL8127D gefertigt wurde.
Dank einer Literatur-Quelle gibt es hier zum U84C97 nähere Angaben. Es ist ein Schaltkreis im 16-poligen DIL-Gehäuse mit den Hauptfunktionen zur Bereitstellung des Systemtaktes und der Organisation des ordnungsgemäßen Überganges in den Schlafzustand des CMOS-Mikroprozessorsystems. Dazu kann man die Betriebsart unter 3 verschiedenen Modi auswählen.
Eine ausführliche Beschreibung mit Applikationsbeispiel kann der nachstehend angegebenen Literatur-Quelle entnommen weerden.

Michael Ritter: 8-Bit-CMOS-Mikroprozessorsystem U84C00, mikroprozessortechnik 3 (1989), H10, S296-298



3 1/2-Digit AD-Wandler U7106D bzw. C7136D
Der Vorbildtyp des U7106D war der ICL7601 von der US-amerikanischen Fa. Intersil. Im Gegensatz zum C7136, der im HFO gebaut wurde, kam der U7106D aus Erfurt (MME).
Es handelt sich bei beiden um 3 1/2 Digit-AD-Wandler für die direkte Ansteuerung von LCD-Anzeigen. Die HFO-Variante in CMOS-Technologie ist zweifelsohne die modernere Version. In welcher Technologie MME seine U7106D hergestellt hat, ist leider (noch) unbekannt. Warum hier noch kurz vor der Wende ein etwa vergleichbares Bauelement nochmals in Erfurt entwickelt wurde, ist recht rätselhaft.
Ein "Hoch" auf die Planwirtschaft!
Gleichfalls rätselhaft sind auch die unterschiedlichen Bezeichnungsweisen, einmal mit "U" für "Digital-Unipolarer Schaltkreis" und andererseits mit "C" für "Wandlerschaltkreis". Der C7136 sollte übrigens den schon etwas "bejahrten" C520D ablösen.
Interessant wäre zu erfahren, ob die eigens dafür entwickelten Digital-Multimeter G1004-500 u.a. aus dem MME wirklich mit der Eigenproduktion ausgerüstet wurden, oder ob doch nur/noch NSW-Ausgleichsimporte im großen Stil getätigt wurden.
Zum U7106D liegen leider keine weiteren Informationen vor, hingegen es zum C7136D eine ausführliche Appl.-Broschüre C7137 - H47 gibt.



ASIC "U809M - Vermittlungs-IS"
Ansonsten ziemlich unbekannt - tauchte noch 1990 in der letzten Bauelemente-Vergleichsliste des Kombinats Mikroelektronik (KME) der Typ "U809M" auf. Außer dem lapidaren Titel "Vermittlungs-IS" sind bis heute leider keine weiteren Infos darüber aufgetaucht. Das in der Typbezeichnung enthaltenen "M" deutet allenfalls darauf hin, daß das BE in einem QUIL-Plastgehäuse untergebracht ist.
In einem Forum-Beitrag von www.robotrontechnik.de berichtete ein Leser, daß er diese IS auf einer Leiterplatte in seiner Sammlung hat.
Es kann somit davon ausgegangen werden, dass diese Schaltkreise serienmäßig hergestellt wurden. Die Frage ist halt, von wem - MME Erfurt (?), ZMD Dresden (?) - oder kamen sie gar aus dem Institut für Nachrichtentechnik Berlin (INT)? Es ist bekannt, daß das INT als zentrale Entwicklungseinrichtung des Kombinates Nachrichten- und Meßtechnik (KNuM) Ende der 80er ein Entwurfzentrum für kundenspezifischen Schaltkreise hatte.
Inwieweit das INT jedoch technologisch soweit ausgerüstet war, bzw. wie das mit den bereits bekannten ASIC-Entwicklungen zusammenhing (siehe "Anwenderspezifische integrierte Schaltkreise"), konnte nun im Zusammenhang mit den ICs für PCM-Technik und dem nachfolgenden U840M/PC geklärt werden.

Nachtrag: Zwischenzeitlich konnte auch noch ermittelt werden, dass die U809M noch Ende 1989 in die Serienfertigung bei MME gegangen sind - in welchen Stückzahlen ist allerdings unbekannt. Weitere Informationen können der Schriftenreihe der Halbleiter-Symposien entnommen werden.



U840M/PC - Bit-Prozessor zur Ansteuerung von Koordinatenwählschaltern in der elektronischen Vermittlungstechnik
Dieser in CMOS-Technologie hergestellte Mikrocontroller war eine Auftragsentwicklung des VEB Fernmeldewerk Arnstadt für deren neue Generation modernster elektronischer Vermittlungstechnik. Da im MME dafür keine Entwicklungskapazitäten mehr zur Verfügung standen, wurde entsprechende "ManPower" einfach aus Arnstadt nach Erfurt umgesetzt, um das dort vorhandene Equipment zu nutzen. Diese besondere Form der "sozialistischen Gemeinschaftsarbeit" war so erfolgreich, dass innerhalb kurzer Zeit erste funktionsfähige Muster im QUIL-Gehäuse zur Verfügung standen. In Halbleiter-Symposien Bd3/S261 werden u.a. folgende technische Daten angegeben:
Einsatzmöglichkeiten als
- selbstständiger, kaskadierbarer Spezialprozessor zur logischen Verknüpfung von Einzelbitsignalen und
  Verwaltung von Software-Zeitgliedern
- Coprozessor für Einzelbit-Verarbeitung und Datenaufbereitung in peripheren Ein-Ausgabe-Einheiten
  von Standard-Prozessorsystemen
Gehäuse: Plast-Chip-Carrier PLCC64, 1,016mm Pinraster (Bauform "PC"), Muster im QUIL-Gehäuse
Technologie: CMOS (komplementäre Silicon-Gate-Technologie - CSGT)
Takt: Einphasentakt int./ext. bis 2,5MHz
Programmspeicher: extern, ROM/EPROM/RAM, 4kB, auf 64kB erweiterbar
Betriebsspannung/Strom: 5V/15mA

Wenn man sich die internen Funktionsgruppen ansieht:
64x 8Bit-Register, 4x E/A-Ports, BOOL'sche und Byte-Verarbeitungseinheit, Zähler/Timer, SIO, 8Bit-Datenbus, 16Bit-Programmadresszähler
dann sind Analogien zu den bereits in Produktion befindlichen EMR (Einchip-Mikrorechner) der Serie U88xx durchaus erkennbar, nur dass hier bereits die moderne stromsparende CMOS-Technologie zum Einsatz kam.
Erste Erprobungen der Entwicklungsmuster U840M in einem Versuchsaufbau verliefen in Arnstadt erfolgreich, für den produktionsreifen Einsatz wurden aber Bauelemente im fertigungstechnologisch günstigerem SMD-Gehäuse PLCC64 verlangt. Infolge des gesellschaftlichen Umbruchs in der DDR und letztendlich der Übernahme des Fernmelderwerks Arnstadt durch den SEL-Konzern kam es jedoch dann zu keinem weiteren Einsatz mehr.
Weitere technische Informationen können dem o.g. Vortragsskript entnommen werden.
Umfangreiches Material an Entwicklungsunterlagen und BE-Muster sind dem Elektromuseum in Erfurt übergeben worden.



U1620FC - Ein Decoder-Schaltkreis für Digitalen Satellitenrundfunk
Obwohl nachfolgender IC nicht mehr in die DDR-Ära fällt, soll dennoch darauf hingewiesen werden, weil dessen Grundlage das Gate-Array-System U1600 war, was noch zu DDR-Zeiten entwickelt wurde.
Bisher wenig bekannt - aber Anfang der 90er existierten weltweit nur zwei verschiedene Typen dieser speziellen hochintegrierten Schaltkreise und einer davon war der "TSD DR U1620FC" aus dem mittlerweile privatisierten ZMD. Es war eine Auftragsentwicklung für den renomierten Satellitentechnik-Hersteller TechniSat, gemäß den "Technischen Richtlinien ARD/ZDF Nr.3 R1".
Folgende Baugruppen sind auf dem Chip integriert:

- Taktrückgewinnung und -aufbereitung (ohne VCO)
- Hauptrahmensynchronisation
- Unterrahmensynchronisation mit PI-Schnittstelle
- Descrambler
- Demultiplexer mit Mikrocomputer-Schnittstelle
- Fehlerkorrektur
- Skalenfaktorverarbeitung
- Interpolation
- serielle Schnittstelle I²S
- Testlogik

Weitere Details - auch ein Blockschaltbild - können der angegebenen Literatur entnommen werden.
Wenn man die sich weiterentwickelnde Informationspolitik verfolgt, muß leider festgestellt werden, daß diese Veröffentlichung so ziemlich das letzte Mal einen Einblick in die Interna von solch hochkomplexen Entwicklungen ermöglichte. In den nachfolgenden Zeiten wird es solcher Art Informationen kaum noch geben, sondern nur noch eine "vermarktungsgerechte Produktwerbung". Wie heutzutage bestimmte neue Produkte und Technologien technisch im Detail realisiert werden, bleibt somit mehr und mehr ein Geheimnis der betreffenden Produzenten.

Dipl.-Ing. Jürgen Beuthner, Dr.-Ing. Frieder Engelmann, Dipl.-Ing. Dieter Markwordt, Ing. Gerhard Kreidler. Dipl.-Ing. Hans-Joachim Baer, Dipl.-Ing. Manfred Stiefel, Dr.-Ing. Ulrich Bergt: Digitaler Satellitenrundfunk (DSR) - Teil 2 und Schluß, rfe 41 (1992), H7, S484-489

Nachtrag
Entsprechend einer Leser-Mitteilung war auch das ehemalige ZRF/ZWT Dresden in dieser Enwicklung involviert - und zwar schon seit 1985! Anfangs wurde mit Gate-Arrays aus dem U5200-System experimentiert, wobei als Vorbild der VALVO-Typ SAA7500 diente. Diese Entwicklung konnte offensichtlich "über die Wende gerettet" und im ZRF/ZWT-Übernehmer "TechniSat" weitergeführt werden.



Si-Transistoren SD335 bis SD340 und SD345 bis SD350
Diese Art Kleinleistungs-Transistoren (1A- bzw. 3A-Typen) waren schon längere Zeit in vielen Geräten der Volkswirtschaft im Einsatz und lange Zeit wurde die Bedarfsdeckung in der Regel durch RGW-Importe vorgenommen - zunächst aus der UdSSR (KT-Reihe), später dann aus Rumänien als BD135-BD140. Offensichtlich gab es doch wohl immer wieder Probleme bei der Bedarfsdeckung - oder möglicherweise auch aus Qualitätsgründen entschloß man sich dann ab etwa Mitte der 80er Jahre die Bedarfsdeckung aus Eigenaufkommen vorzunehmen.
Da im HFO bereits die Kapazitätsgrenzen durch die vielseitige Schaltkreisproduktion bis über alle Maßen erschöpft war, wurden im VEB Mikroelektronik Neuhaus (MSN) technologische Vorrausetzungen geschaffen, die wenigstens den Zyklus II (Chip-Montage, Verkappung, Endmessung) ermöglichten. MSN wurde somit auch für weitere "einfache" Halbleiterbauelemente immer mehr für den Zyklus II spezialisiert. Zyklus I, d.h. die Herstellung der eigentlichen Chips, verblieb allerdings nach wie vor beim HFO. Das brachte außer dem Nachteil des Transports der fertigen Chips im Scheibenverband auch den Vorteil, daß auf gleicher Chip-Basis unterschiedliche Bauelemente im MSN produzierbar waren, so z.B. als SMD-Bauteile.



A2014DC - Videoschalter für TV-Geräte
Im letzten Datenbuch der Halbleiterindustrie der DDR von 1990 wird ein Videoschalter-IC für die Anwendung in Fernsehgeräten aufgeführt. Dieser bipolare Schaltkreis sollte die elektronische Umschaltung von Videosignalen zwischen dem peripheren Eingang, z.B. Scart-Buchse und dem internen Signalweg realisieren.
Inwieweit dieser Schaltkreis im HFO (??) noch produktionswirksam geworden ist, darf bezweifelt werden.



A3048DC - Bipolarer Infrarot-Empfänger-Schaltkreis
Auch dieser Schaltkreis ist im letzten Datenbuch der Halbleiterindustrie der DDR von 1990 aufgeführt.
Während in der Vergangenheit Infrarot-Empfänger für Fernbedienungen dadurch realisiert wurden, dass man den eigentlich für AM-Empfang konzipierten A244D "vergewaltigte", sah man nun wohl die Notwendigkeit speziell dafür einen Schaltkreis zu entwickeln. Besondere Eigenschaften, wie z.B. die Bedämpfung des Eingangsschwingkreises in Abhängigkeit von der Signalamplidude (sog. Q-Killer) sorgten für große Reichweite der IR-Strecke und gute Störsicherheit gegenüber Fremdlichteinflüssen.
Inwieweit dieser Schaltkreis im HFO (??) noch produktionswirksam geworden ist, darf bezweifelt werden.



U 80610 - Programmierbarer DRAM-Controller
Auch dieser Schaltkreis ist im letzten Datenbuch der Halbleiterindustrie der DDR von 1990 aufgeführt.
Dieser Schaltkreis gehört zum Sortiment der Systemschaltkreise des 16Bit-Mikroprozessorsystems U80600. Er unterstützt den Anschluß von 16-, 64-, und 256 kBit dRAMs bei einem Adressraum von max. 2MByte, wobei durch einen Dual-Port-Interface ein konfliktfreier Zugriff auf den Speicher gewährleistet wird. Im Zusammenhang mit dem EDCU-Schaltkreis U80608 sollte er zu einem einfachen Aufbau großer fehlerkontrollierter Speicher beitragen.
Inwieweit dieser Schaltkreis im MEM (FWE) (??) noch produktionswirksam geworden ist, darf bezweifelt werden.



DS 80612 DC - Taktgenerator-Schaltkreis
Auch dieser Schaltkreis ist im letzten Datenbuch der Halbleiterindustrie der DDR von 1990 aufgeführt und gehört zum Sortiment der Systemschaltkreise des 16Bit-Mikroprozessorsystems U80600. Er sollte die Takt-, Ready- und Reset-Signale aus einem quarzgesteuertem Oszillator mit MOS-kompatiblen Ausgangsstufen erzeugen. Aus der Typbezeichnung geht hervor, dass der Schaltkreis in Bipolartechnik gefertigt werden sollte, so dass dafür HFO als Hersteller in Frage gekommen wäre.
Inwieweit dieser Schaltkreis im HFO (??) noch produktionswirksam geworden ist, darf bezweifelt werden.



B 3870 D - Analog-Prozessorschaltkreis für Teilnehmeranschlußleitungen
Von diesem Spezial-Schaltkreis für die Telekommunikation ist sehr wenig bekannt. Das recht komplexe Innenleben sollte offensichtlich helfen, perspektivisch die Mängel im Telefonnetz der DDR zu vermindern. Aus der Typbezeichnung könnte man wiederum schliessen, dass dieser Schaltkreis aus dem HFO kommen sollte (??).
Inwieweit das dort noch produktionswirksam geworden ist, darf bezweifelt werden.



Weitere ICs für die PCM-Technik
Obwohl in den 1980er Jahren bereits einiges an HL-Bauelementen für die Fernmeldetechnik seitens der DDR-Halbleiterindustrie zur Verfügung gestellt wurde (so z.B. der PCM-Regenerator KA601/602D, Schaltkreise für den Teilnehmeranschluss U1001D, U1011D, U1021D, U1500PC050 und den bipolaren Schaltkreissatz B384D - B387D für den so genannten "SLIC-Komplex") gab es dann Ende der 1980er Jahre noch bedeutende Ergänzungen dieses Sortimentes:
- Schaltkreissatz für die Steuerung der Teilnehmerkarte OZ100 mit:
  I²L-Schaltkreis KD610D
  I²L-Schaltkreis KD320D
  I²L-Schaltkreis DK410D
- DVS Digitales Vermittlungssystem (NSGT2) - ISDN mit:
  Koppelfeldschaltkreise für digitale Vermittlungstechnik U3210, U3220, U3230 und
  ASIC-Schaltkreissatz für digitale Übertragungstechnik (PCM30) U1500PC001, PC002, DC007, FC008
Die ASICs wurden im QUIL-Gehäuse verkappt.
Weitere Schaltkreise für die PCM30-Technik gab es auch noch:
- PCM Sender U1501 (U1500PC001, U1500CC001 - jeweils andere Gehäusevarianten)
- PCM Empfänger U1502 (U1500PC002, U1500CC002 - jeweils andere Gehäusevarianten)
- U1503 (U1500PC003), U1502PC054, U1500PC007, U1500PC008 ...

Diese Informationen stammen aus einer Online-Dokumentation von Dr. Heinz aus dem INT: Berliner ICs mit zahlreichen Bildern, Chipfotos und einigen "Nebenseiten".
Dank Dr. Heinz liegen PS für die IC-Serie B384D - B387D auch Chip-Fotos vor.



KD103 - IS für kommerzielle Funkgeräte
Zunächst wurde angenommen, dass dieser IS:
IS KD103D
aus dem ISA-System des HFO stammt und möglicherweise dem Schaltkreis-Sortiment für die o.g. PCM-Technk zugerechnet werden könnte, aber dessen Funktionalität völlig unbekannt war. Dank erfolgreicher Suche im Forum von www.robotrontechnik.de konnte dies jedoch nun aufgeklärt werden.
Dieser Schaltkreis wurde für kommerzielle Funkgeräte verwendet, die im VEB Funkwerk Köpenik in den 1980er Jahren für "spezielle Bedarfsträger" gebaut wurden. In dem betreffenden Forum-Thread ist auch ein Bild von der Einbausituation zu sehen.



U1311D - Schaltkreis für Schaltuhren
Dieser 32kHz-Uhrenschaltkreis ist eine spezielle Variante des bereits bekannten U 131 G mit Schaltausgängen für Ein- und Ausschaltzeit, sowie einem Tagesimpuls. Obwohl die Typbezeichnung eigentlich auf ein anders Gehäuse hindeutet (DIL), ist in der Abbildung das gleiche wie beim U 131 G angegeben. Wo hier nun der Fehler steckt, könnte nur anhand eines Original-Musters ermittelt werden.
Inwieweit dieser Schaltkreis noch produktionswirksam geworden ist und wo, ist unklar.



U5301FC301 - Schaltkreis für inkrementale Messwertverarbeitung
Dieser ASIC wurde noch 1990 in Zusammenarbeit mit dem VEB Feinmesszeug Suhl entwickelt, welches damals zum Kombinat "Carl Zeiss Jena" gehörte und heute unter Feinmess Suhl GmbH im Unternehmensverbund der "August Steinmeyer GmbH & Co KG" firmiert.
Weitere Informationen liegen leider (noch) nicht vor und ob dieser IC noch heute verwendet wird, ist ungewiss.



D716X - Schaltkreis für Thermodruckkopf
Im Datenblatt des D 716 X wurde original die Bezeichnung "Ansteuerschaltkreis für Heizwiderstände" verwendet, wobei "Treiberschaltkreis für Thermodruckkopf" besser den Verwendungszweck beschreiben würde. Das Entwicklungsthema im HFO zu diesem "Nacktchip" lautete dann auch "Thermodrucker-IS D716X", war eine Gemeinschaftsentwicklung mit der TU Dresden Sekt.9 und wurde am 31.8.1983 mit der K5/0-Verteidigung abgeschlossen. Es handelte sich um ein 16-stufiges Schieberegister mit Zwischenspeicher und 16 Ausgangsstufen mit 15V/150mA und wurde in einer damals (Anfang 1980) für HFO neuen bipolaren Technologie I²L gefertigt.
Der Schaltkreis wurde in den Thermodruckköpfen ITK80, ITK240 und ITK160 von Robotron verwendet, die im K6301, K6303 und K6306 (Büromaschinenwerk Sömmerda - BWS) zum Einsatz kamen. Während der Entwicklungsphase gab es auch einige Muster des D716 im DIL28-Gehäuse. Nachrangige Anwenderforderungen den D716X serienmäßig auch verkappt, z.B. in einem DIL-Plastgehäuse bereitzustellen, wurden leider vom HFO zunächst nicht realisiert.
Für den Einsatz der Nacktchips waren seitens BWS erhebliche technologische Hürden zu überwinden, was allerdings im Rahmen einer tatsächlichen Eigenentwicklung der Druckköpfe - d.h. keine "Nachempfindung" westlicher Vorbilder - durch eine automatische Fertigungslinie (Dünnschichtstrecke mit Sputtern und Strukturieren, Automatikbonder und Messtechnik, Verkappung) möglich war. Einzelne Komponenten kamen dazu vom Institut "Manfred von Ardenne" bzw. von Robotron/E76.

Nachtrag
Ein paar Jahre später konnte man in nachstehender Veröffentlichung lesen, dass nun doch noch eine anwenderfreundliche Variante mit modifiziertem Chip des D716X mit Konstantstromquellen-Ausgängen im DIL24-Plastgehäuse als D718D angeboten wurde.

Dipl.-Ing. Eberhard Seeling: Integrierte 16-bit-Serien-Parallel-Wandlerschaltung, rfe 36 (1987), H12, S760-761

Hier noch ein Chip-Foto und der Einsatz des U716X im Druckkopf.

Chip-Foto D716X    Druckkopf intern

Diese Bilder wurden freundlicherweise von einem Leser zur Verfügung gestellt.



U8912 - Audio-Schaltkreis für den BIC - A5105
Zur Ablösung des im BIC eingesetzten Audio-Schaltkreises AY-3-8912 - ein NSW-Import vom US-amerikanischen HL-Hersteller "General Instruments Inc." - wurde offensichtlich ein 1:1-Nachbau geplant. Anzunehmen ist, dass ZMD dieser Wunsch angetragen wurde, was jedoch angesichts der Ende der 80er sich verschärfenden Defizite und vor allem wegen der zu geringen Stückzahlen kaum realisierbar erschien. Einen Ausweg sollte die vorhandene ASIC- und Standardzellen-Technologie (U5200 bzw. U1600) bringen.
Nach bisher unbestätigten Informationen kam es wohl noch zu einer System-Konzeption und ersten Mustern. Infolge der ab 1990 wirksamen Produktionseinstellung des "BIC" wurde das Vorhaben dann fallengelassen.



Dual RS232-Treiber/Receiver U232DC
Dieser Schaltkreis wurde offensichtlich noch kurz vor dem Ende der DDR in die Entwicklung beim HFO aufgenommen, obwohl er in keinen Listen zu finden ist:
Dual RS232-Treiber/Receiver U232DC
Das "EM" im Label deutet auf "Entwicklungsmuster" hin ...
Es ist die "Nachempfindung" des erst 1989 bei MAXIM in Produktion gegangenen MAX232. Die Treiberleistung realisiert dabei die Pegelwandlung von 5V auf die bei RS232 übliche Größe. Dazu ist ein interner DC-DC-Wandler integriert, zu dessen Technik man bereits mit dem DC-DC-Wandler U7660DC seit 1988 Erfahrungen machen konnte. Vorteilhaft beim U232DC sind die im Vergleich zum U7660DC viel kleineren Speicherkondensatoren (Größenordnung 100n ... 1µF), welche sich leicht mit Keramik-Vielschichtkondensatoren in Miniatur-Ausführung realisieren lassen.
Inwieweit dieser Schaltkreis noch produktionswirksam geworden sein könnte, ist nicht bekannt.



Ableitvariante des U700D ?
Dieser Schaltkreis ist möglicherweise eine Ableitvariante des in den 1970er Jahren bekannten Sensor-Schaltkreises U700D:


Weitere Informationen sind bisher nicht bekannt geworden.
Vielleicht kann hier die Leserschaft weiter helfen?
Die Leserschaft konnte helfen!
Es handelt sich um die den 1. kundenspezifischen Schaltkreis des FWE. Im vorliegenden Pflichtenheft von 1974, sind Entwicklungsziel und Einsatzort genauestens beschrieben.
Dieses Dokument wurde dankenswerterweise von Herrn Gerhard Haase, einem der Schaltkreis-Entwickler, zur Verfügung gestellt.
Später wurden solche Schaltkreise als ASIC realisiert (gab's auch in der DDR - siehe z.B. U1600, bzw. U5200)



Verschiedene diskrete Bauelemente
Zusätzlich zu dem riesigen Spektrum der "Warenhausproduktion" der DDR-Halbleiterindustrie wurden auch noch einige weitere diskrete Bauelemente mit in das Entwicklungsprogramm aufgenommen - so jedenfalls läßt sich das aus dem letzten Datenbuch von 1990 herauslesen.
Insbesondere sollte wohl den Trend der weiteren Miniaturisierung durch verstärkten Einsatz moderner SMD-Schaltungstechnologie Rechnung getragen werden. Da Derartiges im RGW nicht zur Verfügung stand und infolge jahrelanger schlechten Erfahrungen mit entsprechenden Spezialisierungs-Bestrebungen, versteifte man sich offensichtlich nun darauf alles selbst machen zu wollen.

Optoelektronik
VQA 101, VQA 201, VQA 301, VQA 103, VQA 203, VQA 303

Transistoren für Hybrid- und SMD-Schaltungen
SCE 307, SCE 308, SCE 309, SCE 535, SCE 536, SCE 537, SCE 538, SCE 539, SCE 540,
SSE 200, SSE 201, SSE 202, SSE 550, SSE 551, SSE 552, SSE 560, SSE 561, SSE 562



Weitere Bilder
Zunächst eine Anfrage an die Leserschaft - wer kann folgende ICs identifizieren:

unbekannter IC unbekannter IC unbekannter IC unbekannter IC unbekannter IC
ID 243 D V5 HFO ID 170 IA 301 D P3 HFO C 503 A 300 D NO HFO


Leserzuschriften ermöglichen die Veröffentlichung weiterer Bilder in Ergänzung zum PS-Buch:

WBN-Transistor Das Bild eines original noch vorhandenen Exemplars einer der ersten Spitzen-Transistoren aus dem WBN Teltow.
Ge-Leistungs-Transistor GD210 Das Bild eines original noch vorhandenen Entwicklungsmuster Ge-Leistungstransistor GD210 aus dem HFO. Deutlich ist das Kupfer-Gehäuse zu erkennen. Es gab auch Exemplare mit vernickelter Oberfläche, was aber an dem eigentlichen Problem, der Dichtheit der Nahtstelle zwischen Grundplatte und Kappe (beides aus Kupfer) nichts änderte. Weitere Details dazu in der PS-Geschichte Lebenslinien - Der schwere Weg vom Jugendlichen zum Erwachsenen".
Die Reihe GD210-230 ist nicht in der BE-Liste im Buch enthalten, weil deren Serien-Produktion nicht statt fand.
Si-PNP-Transistor Das Bild eines original noch vorhandenen Exemplars Silizium-PNP-Legierungstransistors SC100 aus dem HFO. Auch diese Typenreihe ist in der BE-Liste im Buch nicht enthalten. Wie jedoch im Buch bschrieben, war die Überleitung in die Produktion mit erheblichen Schwierigkeiten verbunden. Deshalb erfolgte auch schnell eine Ablösung durch die modernere Planar-Technologie mit BE, wie SF131, SF126 usw.
Ge-Transistoren Das Bild zeigt einige weitere Ge-Transistoren aus der Anfangszeit der HL-Industrie der DDR. Ganz links ein OC870 - das Gehäuse besteht offensichtlich noch aus Drehteilen. Daneben ein GC112 im modifizierten (längeren) TO18-Gehäuse - aus tiefgezogenen, wesentlich billigeren Blechteilen. In diesem Gehäuse kamen die Mehrzahl der in den 60er hergestellten Ge-Transistoren (s.o.). Wie die rechts davon abgebildeten BE zeigen, wurde dann später aber auch (fast) original die TO18-Bauform angewendet (untypisierter Transistor, ein GF105, ein GF129 mit 4 Anschlüssen). Ganz rechts ist das Innenleben eines solchen Transitors zu sehen. Am Basiskontakt wurde rechtwinklig das Trägerplättchen mit dem aufgelöteten Ge-Chip gepunktet. Die beiden anderen Anschlüsse - Emitter, Kollektor - wurden mit dünnen Blechstreifen an die Drahtdurchführungen gepunktet, bzw. an die Emitter-/Kollektor-Perlen gelötet. Im Buch S10 ist vergleichsweise der Aufbau des verängerten, modifizierten TO18-Gehäuse dargestellt. Dort wird aber ein wesentlich größeres Trägerplättchen verwendet und dieses ist auch senkrecht montiert - deshalb die verlängerte Bauform.
Chip-Foto A3520 Aus einem Scheibenbruchstück stammt das Chip-Photo eines der letzten hochintegrierten Analogschaltkreise des HFO: A3520D
Trotz einer 200-fachen Vergrößerung sind Details kaum zu erkennen. Ganz links unten steht (hochkant): A3520. Die gesamte Chipfläche ist ca. 5x3,8mm groß, so daß hier nur ein ca. 1/4-Teil abgebildet werden kann.
CMOS-RAM KWH Bilder von CMOS-RAMs in Hybridbauweise aus den Keramischen Werken Hermsdorf (KWH):
Da jeweils 8 Stück Chips verbaut wurden, müßte es sich bei dem Typ 85551 um 4Kx1-SRAM-Chips handeln, wenn man von einer 8Bit-Breite ausgeht. Diese wurden allerdings nicht in der DDR hergestellt, so daß Import-Chips, möglicherweise aus der UdSSR vermutet werden müssen.
Zum Typ 4718 liegen leider keine weiteren Informationen vor. Anhand der Chip-Größe und dem Herstell-Datum kann aber von einer größeren Speicherkapazität ausgegangen werden.
Unbekannter Rechner-IC Bild eines bisher unbekannten Rechner-IC's aus dem Hause KCZ, d.h. offensichtlich von ZMD Dresden.
Welche Funktion dieser integrierte Schaltkreis hat, ggf. welcher Vorbildtyp hier Pate stand, ist derzeit noch unbekannt. Vermutungen gehen hier in Richtung "weiterer Systemschaltkreis für den ROBOTRON PC-AT EC1835".
Es wird auf die Mithilfe der Leserschaft gebaut, dieses Rätsel zu lösen!
Eine Leserzuschrift bringt nun "Licht in's Dunkle" - nachzulesen hier. Vielen Dank an Herrn Fritzsche!
Z80A(MME)_Russen-CPU Bild einer weiteren Variante des Z80A-Clones von Mikroelektronik Erfurt (MME) in einer Russen-Gehäusevariante.
Ob hierzu die Gehäuse aus der UdSSR importiert wurden, um beispielsweise MIL-Typen in Erfurt herzustellen, oder nur die fertigen Chips in die UdSSR exportiert wurden, um dort zu solchen Bauelementen komplettiert zu werden, bleibt bisher (noch) ungewiß.
Es wird auf die Mithilfe der Leserschaft gebaut, dieses Rätsel zu lösen!
Z80A(Thesys) Bild eines Z80H-Clones aus dem Hause "Thesys", d.h. dem Nachfolger von MME.
Daraus kann abgeleitet werden, daß in Erfurt offensichtlich die n-Kanal-SiliconGate-Technologie so gut beherrscht wurde, daß sogar Taktfrequenzen bis 10 MHz möglich waren. Selbst die Urväter des Z80 - die US-amerikanische Firma ZILOG - taten sich sehr schwer damit und demzufolge gab es auch keine Systemschaltkreise für diese hohe Taktfrequenz.
In Foren wurde dazu spekuliert, daß nach der Wende die "Nachlizenzierung" der Erfurter Z80-Reihe durch ZILOG über einen Deal des KnowHow-Austausches erfolgte. Entsprechende Vereinbarungen als "2nd Source-Producer" wurde bereits mit der Vorgänger-Firma "Ermic GmbH" abgeschlossen (a&m 1991/1/12).
U320C20FC7 Bild eines U320C20 aus dem Hause ZMD.
Daraus kann abgeleitet werden, dass in Dresden offensichtlich die Entwicklung des Signalprozessors doch bis in das Stadium von wenigstens Entwicklungssmustern gekommen sein muss. Nach Leser-Mitteilung muß es aber auch noch eine "Nachwende"-Produktion gegeben haben, was sich aus Lagerbeständen einiger BE-Händler ableiten läßt.
Das Bild wurde dankenswerterweise von einem Leser bereitgestellt.

U1815-1    U1815WC

U5404PC     U5201-FC142

U156C
Ableit-Variante vom U256C ?


Bilder von weiteren, bisher unbekannten Schaltkreisen aus dem Hause ZMD.

Vielleicht gibt es Leser, die über den einen oder anderen IC Auskunft geben können.
Diese Informationen könnten dann hier veröffentlicht werden.



U61000D-SIMM

Ende der 1980er Jahre und in den Nachwendezeiten müssen noch erhebliche Stückzahlen des 1MB-DRAMs U61000D im Umlauf gewesen sein.
Ein beredes Beispiel zeigt hier die damit bestückten SIMM-Speicher-Riegel.
UB8820M
QUIL-Fassung
Bisher bestand die Ansicht, dass es die Entwicklungs-Version des Z8 mit 48 Anschlusspins nur im
DIL-Gehäuse aus Keramik mit veringertem Rasterabstand gab. Diese Gehäuse-Variante wurde in der DDR aus Kosten- und Verarbeitungsgründen nicht verwendet, sondern ein doppelreihiges DIL-Plastgehäuse - QUIL. Dafür gab es angeblich auch im Westen keine Fassung, so dass die heimischen Entwickler sich eigene Lösungen für eine Fassung einfallen lassen mussten.

Dass dem nicht so war und eine entsprechende Fassung von "3M" angeboten wurde, zeigt das Bild links.
Ob diese Fassung allerdings mit dem U8820M kompatibel gewesen wäre, ist ungewiss (Stichwort: Zoll/metrisches Maß).
Diese Vermutung ist allerdings auch noch aus einem anderem Grund berechtigt:
Diese 3M-Fassung passt nur zum Z8 / Z8601 von Zilog, den MME in dieser Form nicht nachgebaut hat.


In Anbetracht der Tatsache, dass es außer für den U8820M noch weitere Schaltkreise im QUIL-Gehäuse gegeben hat (siehe ICs für die PCM-Technik), wäre eine Fertigung diesbezüglicher Fassungen durchaus sinnvoll gewesen. Der VEB Kontaktbauelemente und Spezialmaschinenbau Gornsdorf hatte mit einem reichlichen Sortiment an DIL-Fassungen dazu bereits alle Vorraussetzungen.



Besonderer Dank gilt Wolfgang Mögling für die Zurverfügungstellung des Fotos zum WBN-Transistor und Andreas Senf für die HFO-Transistor-Bilder.




Sachdienliche Kritik, Hinweise und/oder Ergänzungen dazu, bzw. zu allen Fragen der Mikroelektronikgeschichte der DDR sind immer willkommen!




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