Schriftenreihe der Halbleiterbauelemente-Symposien

Ab den frühen 1960er Jahren wurden zunächst jährlich und dann aller zwei Jahre in Frankfurt/Oder ein so genanntes "Halbleiterbauelemente-Symposium" durchgeführt. Dazwischen gab es dort ab den 1980er Jahren dann auch noch spezielle Symposien zu Fragen der HL-Technologie.
Schirmherr und Organisator war der VEB Halbleiterwerk Frankfurt/Oder (HFO) in Zusammenarbeit mit der örtlichen Kammer der Technik (KdT).
Von den neuesten Entwicklungen der DDR-Halbleiterindustrie wurde berichtet - in Ausnahmefällen auch aus einigen Halbleiterschmieden des RGW - vornehmlich TESLA (CSSR). Aber auch Einsatzberichte aus der Anwenderindustrie wurden vorgetragen.
Zur Freude der Anwender gab es die zahlreichen Vorträge auch in Printform - oft als A5-Hefte miserabler Druckqualität, teilweise auch lose Blätter in A4- und A5-Format. Obwohl einige ausgewählte Beiträge auch an anderer Stelle veröffentlicht wurden - so z.B. in der Fachzeitschrift "radio fernsehen elektronik" (rfe), konnte ohne die Original-Skripte kaum von einer in der Breite wirksamen, allumfassenden Information ausgegangen werden. So kann es also durchaus vorkommen, dass Informationen zu bestimmten Bauelementen oder allgemeineren Themen nur in diesen Skripten abgedruckt wurden.
Leider sind die Skripte (Referate) der ersten Halbleiter-Symposien kaum noch verfügbar und ob die in den wenigen öffentlichen Bibliotheken - z.B. die Staatsbibliothek zu Berlin - vorhandenen vollständig sind, ist auch nicht sicher.

Übersicht der vorhandenen Dokumente als Datein:

1966:       1966 (1., keine Vortrags-Skripte)

1967:       1967 (2., keine Vortrags-Skripte)

1969:       1969 (3., keine Vortrags-Skripte)

1971:       1971 (4., keine Vortrags-Skripte)

1973:       1973 (5.)

1975:       1975 (6.)

1977:       1977 (8. ???)

1979:       1979

1981:       Band 1, Band 2 (9.)

1982:       Band 1 (II.), Band 2 (keine Vortrags-Skripte)

1983:       Band 1, Band 2, Band 3 (10.)

1984:       1984

1985:       Band 1, Band 2, Band 3 (11.)

1987:       Band 1, Band 2, Band 3, Band 4, Band 5 (12.)

1989:       Band 1, Band 2, Band 3, Band 4, Band 5, Band 6, Band 7 (13.)


Achtung!
Falls Leser weiteres Material/Hefte zur Verfügung stellen können (auch leihweise), würde deren Inhalt zur Vervollständigkeit dieser Wissensbasis gern veröffentlicht werden.

Inhaltsverzeichnisse

1966
(1.)
Dipl.-Phys. Kling Stabilitätsbewertung von Transistoren
Dipl.-Ing. Parnow Schaltzeitenmeßgerät mit direkter Sichtanzeige
Dipl.-Ing. Mielke Messung des Durchschaltverhaltens von Transistoren
Dipl.-Ing. Knopke 455kHz-AM-ZF-Verstärker mit dem Transistor GF129
Dipl.-Phys. Haberlandt Stereo-ZF-Verstärker 10,7MHz
Ing. Fischer Untersuchungen an NF-Endstufen
Prof. Dr. Lappe (TU Dresden) Einsatzmöglichkeiten von Bauelementen der Leistungselektronik in der Stromrichtertechnik
Dipl.-Ing. Kuhnert 10A- und 200A-Si-Dioden des HFO
Ing. Engler Gleichrichtersätze aus 10A-Si-Gleichrichterdioden
Dipl.-Ing. Friedrich Meßverfahren und -geräte zur Bestimmung der Kenndaten von Hochstromgleichrichtern und Thyristoren
Dipl.-Ing. Stoltz (VEB Elpro Berlin) Betriebserfahrungen mit Gleichrichterdioden in E-Loks
Dipl.-Ing. Heinz (VEB Elpro Berlin) Betriebserfahrungen mit Gleichrichterdioden in Elektrolyse-Anlagen
Dipl.-Ing. Scheuplein (VEB EAW Berlin) Entwicklung von luftgekühlten Gleichrichtersätzen im VEB EAW Berlin
Dr. Nienke (VEB EAW Berlin) Entwicklung von wassergekühlten Gleichrichtersätzen im VEB EAW Berlin
Ing. Rueckert (Fa. Kjellberg Finsterwalde) Erfahrungen beim Einsatz von Si-Dioden in Gleichrichtern
Ing. Janitz Überspannungsschutz von Si-Gleichrichterdioden mit Varistoren
Ing. Krug Anlaßgerät für Verbrennungsmotoren mit Si-Gleichrichterdioden VSF200/1
Dipl.-Ing. Schiller Das Langzeitverhalten von Germaniumtransistoren
Dipl.-Ing. Ludwig Beitrag zum Zuverlässigkeitsverhalten von Si-Planartransistoren
Dipl.-Ing. Kugler, Dipl.-Ing. Hübner Transistoren für industriellen Einsatz
Dipl.-Ing. Ludwig Die Problematik der Zuverlässigkeitsermittlung an Si-Gleichrichterdioden für Starkstromanwendungen

1967
(2.)
Dipl.-Phys. Bödelt (KdT, HFO) Begrüßung und Eröffnung
Prof. Dr. Falter (ZLA) Stand und Perspektive der Anwendung von Halbleiter-Bauelementen
Prof. Dr. Heinze (TH Ilmenau) Die Bedeutung der statistischen Qualitätsüberwachung in der Halbleitertechnik
Dr. Auth (HFO, Wiss. Direktor,
Mitglied des Forschungsrates)
Stand und Perspektive physikalisch-technologischer Erkenntnisse bei der Herstellung von Halbleiter-Bauelementen
Dipl.-Phys. Pohl (HFO) Entwicklung von Halbleiter-Bauelementen - ökonomisch betrachtet
Prof. Dr. Paul (TH KMSt) Erkenntnisstand, physikalische Grenzen und Realisierungsmöglichkeiten des bipolaren Transistors
Dipl.-Ing. Krüger (HFO) Eigenschaften von Transistoren der Typenreihe SF126 bis SF128
Dipl.-Ing. Dornfeld (HFO) Anwendung von Transistoren der Typenreihe SF126 bis SF128
Dipl.-Ing. Leetz (HFO) Eigenschaften von Transistoren der Typenreihe SF136 bis SF137
Dipl.-Ing. Jüngling (HFO) Anwendung von Transistoren der Typenreihe SF136 bis SF137
Dipl.-Ing. Thiele (HFO) Beurteilung des HF-Verhaltens von Transistoren der Type GF145 bei 800MHz
Dipl.-Ing. Kender (IfR) Einsatz von Transistoren in Regel- und Steuereinrichtungen des Systems "Ursamat"
??? (FWE) Forderungen an Transistoren für den Einsatz in digitalen Messgeräten
Dipl.-Phys. Obernick (WFB),
Dipl.-Ing. Galow
Epitaxie-Planar-Diffusionsdioden - neue WF-Bauelemente für die Elektronik
- Technologie und Zuverlässigkeit
- Technische Parameter und Applikation
Prof. Dr. Lappe (TU Dresden) Die Umgestaltung der Starkstromtechnik durch die Leistungselektronik
Ing. Schlegel (HFO) Dynamisches Verhalten von Si-Gleichrichterdioden
Ing. Höringer (HFO) Die Si-Gleichrichterdioden der Typenreihe SY200 bis SY230
Dipl.-Ing. Hoffmann
(VEB Fahrzeugelektrik KMSt)
Drehstromlichtmaschine mit eingebauten Si-Gleichrichterdioden
Ing. Kindl
(VEB Fahrzeugelektrik KMSt)
Reglerschalter für Kraftfahrzeuge mit Regeldiode
Dipl.-Ing. Menshausen
(VEB Walzwerk Ilsenburg)
Betriebserfahrungen mit Si-Gleichrichteranlagen für Cu-Elektrolyse sowie Magnetkranbetrieb
Ing. Österreich
(VEB Fahrzeugelektrik KMSt)
Elektronische Zündungen in Kraftfahrzeugen
Dr.-Ing. Nopirakowski (Elpro) Wechselrichter mit Thyristoren
Dipl.-Ing. Uhlenhut (Elpro) Thyristorgleichrichter mit Regeleinrichtung für Antrieb kleiner Leistung
Dipl.-Ing. Stahn (Elpro) Überstromschutz von Thyristorstromrichtern zur Speisung von Gleichstrommaschinen
Dipl.-Ing. Mattje
(VEB Elektrowärme Sörnewitz)
Anwendung von Halbleiter-Gleichrichterdioden und Thyristoren in Geräten und Anlagen des VEB EWS
Dipl.-Ing. Knopke (HFO) Ein Beitrag zur Leistungsverstärkung bei HF-Transistoren
??? (Zentrallaboratorium für Fernmeldetechnik Berlin Halbleiter-Bauelemente in der Fernsprechvermittlungstechnik
Dipl.-Ing. Gränitz
(VEB Elektronik KMSt)
Die Störempfindlichkeit logischer Transistorbaustufen
Dipl.-Ing. Bemmann
(VEB Elektronik KMSt)
Einfluß der Zuverlässigkeit und der Preise von Halbleiter-Bauelementen auf die Konzeption einer Baureihe
Dipl.-Ing. Fischer
(VEB Elektronik KMSt)
Einfluß der Zuverlässigkeit und der technischen Parameter von Halbleitern auf die Konzipierung der Preisgestaltung von EDVA
Dipl.-Ing. Wuschansky (HFO) Untersuchungen zum 2.Durchbruch von Ge-Kleinleistungstransistoren
Dipl.-Ing. Safar (CKD Prag) Leistungshalbleiter-Bauelemente der CKD und deren Verwendung
Dipl.-Ing. Ekart (CKD Prag) Einige ausgewählte Messmethoden für Bauelemente der Leistungselektronik
Dipl.-Ing. Rehak (CKD Prag) Anwendung von Halbleiter-Leistungs-Bauelementen der CKD
Dipl.-Ing. Kamenicky (CKD Prag) kontaktfreie Schalteri der Starkstromelektrotechnik
Dipl.-Ing. Krug (TU Dresden) Stromrichter-Synchronmotor mit ankerstromabhängiger Erregung - ein kommutatorloser Bahnantrieb mit hoher Überlastbarkeit
Dipl.-Ing Seidel (TU Dresden) Erregung elektrischer Maschinen - insbesondere von Synchronmaschinen mit Hilfe von Halbleiter-Bauelementen

1969
(3.)
Dipl.-Ing. Krüger (HFO) Experimentelle Untersuchungen zum Schaltverhalten von MOS-Transistoren
Dipl.-Ing. N. Schiller (HFO) Gewinnung von Zuverlässigkeitsangaben bei Si-Transistoren
Prof. Dr. M. Falter Neue Entwicklungsrichtungen in der Halbleitertechnik
Dipl.-Ing. U. Zauner
(VEB El. Rechenmaschinen KMSt)
Entwicklungstendenzen logischer Baugruppen in der EDV
Dipl.-Ing. Rolf Dernoscheck
(VEB El. Rechenmaschinen KMSt)
Appl. Untersuchungen der Baureihe D2
Dipl.-Ing. H. Thiele (HFO) Anwendung der S-Parameter in der Transistor-Schaltungstechnik
Dipl.-Ing. Ingeborg Groß (FSGW) Einsatz und Anwendung von Halbleiter-Bauelementen in der Fernsehempfangstechnik
Ing. H. Schmidt (GWS) Mitteilung über die Entwicklung einer neuen Kühlkörper-Reihe
Dipl.-Ing. Hermann Balzer
(WTZ Elektroapperate Dresden)
Selbststeuerung von Thyristor-Antiparallelschaltungen
Dr.-Ing. Ansgar Knapke
(TH Ilmenau)
Mehrphasiger zwangskommutierter Wechselrichter mit Gegentaktlöschung
Ing. Hans-Jürgen Liedtke (EAW)
Ing. Stefan Scheublein
Belüftung von Si-Gleichrichterblöcken
Dipl.-Ing. Johannes Ludwig (HFO) Zuverlässigkeits-Untersuchungen an Halbleiter-Bauelementen mit hoher zulässiger Verlustleistung
Dipl.-Ing. Hans Albrecht
(WTZ Elektroapparate Dresden)
Drehzahlsteller von Schleifringmotoren durch Pulsung der Läuferkreiswiderstände mit Thyristoren
Dr.-Ing. Chr. Mauersberger
(TU Ilmenau)
Unmittelbare Frequenzumformung mit direkter Kupplung zur Speisung von Elektroantrieben
Dipl.-Ing. G. Sittnik (Elpro Berlin) Betriebserfahrungen mit Si-Gleichrichtern auf elektrischen Triebfahrzeugen u. Schlußfolgerungen für die weitere Verwendung
Dipl.-Ing. P. Büchner (TUD) Strombeanspruchung der Halbleiterventile selbstgeführter Wechselrichter bei Schaltvorgängen
Dr.-Ing. Heinz Wolf
(WTZ Elektroapparate Dresden)
Bausteinreihe für Thyristor-Wechselstromschalter
Ing. Brigitte Engel (GWS) Gleichrichter-Sätze mit 10A-Si-Gleichrichterdioden
Dipl.-Ing. D. Kling (HFO) Thermische Kennwerte von Si-Transistoren
Dipl.-Ing. R. Wuschansky (HFO) Angaben zum Mitlaufeffekt von Transistoren
Dipl.-Ing. Peter Baumann (HFO)
Dipl.-Ing. Gerd Schwotzer
Zur Beurteilung des HF-Verhaltens von Transistoren
Ing. Stefan Scheuplein (EAW)
Ing. Hans-Jürgen Liedtke
Si-Gleichrichterblöcke für Industrieanwendung
Dipl.-Ing. Peter Stadt (WFB) Varakterdioden als Frequenzvervielfacher im GHz-Bereich
Ing. Rudi Knospe (EAW)
Ing. Herbert Preiß
Betriebserfahrungen mit Luft- u. Wasser gekühleten Si-Gleichrichterblöcken
Dipl.-Ing. Hans-Joachim Blobelt (LEW) Synchroner Bahnmotor mit Umrichterspeisung

1971
(4.)
Dipl.-Ing. Reimann (RWN) Möglichkeiten der Holografie zur Strukturübertragung in der Halbleitertechnik
Ing. Reiner Schlegel (GWS) Der Schutz des Thyristors durch überflinke Sicherungen
Dipl.-Phys. H. Beichler (GWS) Der HFO-Thyristor ST121
Dipl.-Ing. M. Schulze
(TU Ilmenau)
Steuergerät mit großer Impulssteilheit zur Zündung parallel und in Reihe geschalteter Thyristoren
Ing. Lieban (HFO) Einheits-Gehäusebaureihe für Halbleiter-Bauelemente der Leistungselektronik
Dipl.-Ing. Klaus Oemisch
(WTZ Elektroapparate Dresden)
Thyristor-Drehstromschalter für Industrieöfen
Dipl.-Ing. Geißler
(WTZ Elektroapparate Dresden)
Überstromschutz von Thyristor-Bausteinen in Antiparallelschaltung für 2A bis 16A
Dipl.-Ing. Norbert Schiller (HFO) Die Stellung der forcierten Prüfung im Gesamtsystem der Zuverlässigkeits-Untersuchungen
Dipl.-Ing. Peter Näser (HFO) Meßmöglichkeiten für S-Parameter
Dipl.-Ing. Zimmermann (HFO) Ergebnisse von Zuverlässigkeitsuntersuchungen an Plasttransistoren
Ing. Helmut Hoffmann (HFO) Kenndatenuntersuchungen zum Videotransistor SF150
Dipl.-Ing. Thiele (HFO) Dimensionierung von Verstärkern bei höchsten Frequenzen mit S-Parametern
Dipl.-Phys. Joachim Kühn (GWS) Leistungsgrenzen des Si-Thyristors

1973
(5.)
Dr.-Ing. H. Seidel (KEAB)
Dipl.-Ing. D. Kloock
Reaktionsschnelle Antriebe mit Gleichstrom-Reversierstellern
Dipl.-Phys. Karl-Heinz Haberlandt (HFO) Probleme der Anwendung digitaler Schaltkreise
Dipl.-Ing. Norbert Schiller (HFO) Ausfallursachen bei npn-Transistoren
Dr. rer. nat. Ulrich Mohr (GWS) Avalanche-Effekt in BE der LE
Dipl.-Ing. Werner Woithe (INT) Basis- und ZF-Baugruppen in integrierter Technik
Dipl.-Ing. Ulrich Zschaler (GWS) Bestimmung virtueller Sperrschichttemperatur
- ohne - Datenblätter D100C bis D172C, SS222
Dipl.-Ing. Hartmut Hertzer (HFO) Digitale Schaltkreisreihe HFO
Dr.-Ing. Manfred Kronberg
(TH KMSt)
Dünnschicht-Hybridtechnik in Ansteuergeräten der Leistungselektronik
Dr.-Ing. habil A. Möschwitzer
Forschungsstudent L. Pasch (TUD)
Eigenschaften von MNOS-Feldeffekttransistoren für integrierte Halbleiterspeicher
Dipl.-Phys. Wolf-Dieter Rentsch
Dipl.-Ing. Horst Franke (WFB)
Entwicklung 1A-3A-Thyristoren im WFB (incl. Technologie)
Ing. H.J. Götting
(Inst. M.v.Ardenne)
Halbleiter-Bauelemente in der biomedizinischen Elektronik
(Dr. rer. nat. Dieter Garte) ??? Appl. von Höchstfrequenztransistoren - Vortragsbilder (ohne Text)
Prof. Dr.-Ing. habil. Werner Mansfeld (INT Radeberg) Höchstfrequenz-Transistorverstärker in Richtfunkgeräten
Dipl.-Phys. K.-D. Rojewski
Dipl.-Ing. R. Wetzel (Robotron)
ICs - Gestaltung elektronischer Systeme
Ing. Günter Maasch (HFO) Kennwerte D100-Reihe
Dipl.-Ing. Karl Pohl (EAW) Kühlprobleme an Halbleiterstromrichterblöcken
Dipl.-Ing. Dieter Fuchs (RWN) Moderne Bauelemente für die UHF-Technik
(incl. Ge-Planar-Technologie)
Dr.-Ing. Hans Krug (TUD) Pulssteller in Gleichstromantrieben von Nahverkehrsmitteln
Ing. Manfred Techow (GWG) Selengleichrichter - Fortschritte und Anwendung
Dipl.-Ing. Horst Jüngling (HFO) SF235 - neuer Si-UKW-Transistor
Dipl.-Chem. Fritz Engelhardt
(VEB Spurenmetalle Freiberg)
Silizium als Grundwerkstoff
Dipl.-Ing. Klaus Schmitt (FWE) MOS-Transistoren SM103-104 im Gleichspannungsverstärker
Dipl.-Phys. Klaus-Peter Steiger EHB/ZLA Sowjetische Thyristoren der Typenreihe TD und TT
Ing. B. Engel (GWS) SY250 - Gleichrichterdiode
Ing. Heinz Gottschalk (IfR) Das System "Ursalog S"
Dipl.-Ing. Peter Güttler (TUD) Thermisch-elektrische Wechselwirkungen in Si-Planartransistoren
Dipl.-Ing. Henry Güldner (TUD) Thyristor-Schwingkreisumrichter zur Mittelfrequenz-Erwärmung
Dipl.-Phys. Horst Zakrzewski (GWS) Typensortiment Gleichrichterdioden bis 10A
Dr. rer. nat. Dieter Garte (AMD) Wege zu höheren Integrationsgraden
Ing. Erwin Göttel (EHB/ZLA)
Dipl.-Ing. Claus Herrmann
Dipl.-Ing. Klaus-Peter Göhler
Neue sowjetische Halbleiter-Bauelemente für die Schwachstromtechnik

1975
(6.)
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- -

1977
(8.)
HS-Ing. Peter Edelmann (HFO) A223, IS zur weiteren Erhöhung des Gebrauchswertes von Fernsehgeräten S 7-32
Ing. František Striček (Tesla) Zwei-Norm-Fernsehschaltkreise S 33-52
Dipl.-Ing. Horst Jüngling (HFO) Eigenschaften und Einsatzmöglichkeiten des Analog-IS A244D S 53-72
Dipl.-Ing. Werner Gränitz (Robotron) Erste Ergebnisse der Erprobung sowjetischer Schaltkreise der Serie K155 S 73-82
Dipl.-Ing. Bernhard Gutsche (HFO) Eigenschaften und Einsatzmöglichkeiten des Schaltkreises B222D S 83-98
Dr.-Ing. N. Schiller, Dipl.-Ing. N. Zidek (HFO) Untersuchungen zur Feuchtebeständigkeit plastverkappter digitaler IS S 99-110
Dipl.-Ing. Bodo Hildebrandt (GWS) Die Hochspannungstransistoren SU 161, SU 165, SD 168 S 111-128
Ing. Hans-Jürgen Welzel (FSGW), Dr. Dieter Spindler (TH Magdeburg) Einsatz der Hochspannungstransistoren SU 161, SD 168 in SW-Fernsehempfängern ... S 129-146
Dipl.-Ing. Egon Schwerdt (GWS) Die Gleichrichterdiode SY181 (SY 185) - eine neue schnelle Leistungsdiode S 147-154
Ing. Lothar Adam (GWG) Freiflächengleichrichter mit Si-Einpreßdioden - Problemlösung mit hohem Gebrauchswert S 147-154

1979
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1981
(9.) Band 1
Dipl.-Ing. Siegfried Güldner D394 - IS für Schrittmotoransteuerung und seine Einsatzmöglichkeiten S 1 - 8
Dipl.-Ing. Eberhard Kulla Neue Operationsverstärker des HFO S 9 - 21
Dipl.-Ing. Detlef Dahms Der LED-Ansteuer-IS A277 und seine Einsatzmöglichkeiten S 22 - 32
Dipl.-Ing. Hans-Heinrich Krüger Der Schaltnetzteilansteuer-IS B260 und seine Einsatzmöglichkeiten S 33 - 49
Dipl.-Ing. Peter Näser Der Treiber-IS D410 und seine Einsatzmöglichkeiten S 50 - 62
Dipl.Ing. Ulrich Roick Neue Bauelemente für die Fernsehgeräteindustrie S 63 - 84
Ing. Helmut Jahn Der Hall-Schaltkreis B461 und seine Anwendung S 85 - 96
Dr.-Ing. Bernd Kahl Analog-Digital-Wandler C520D S 97 - 108
Dr. rer. nat. Bern-Georg Münzer (TUD) Universelles Ausgabe-Interface für Mikrorechner K1520
mit D410D unter veränderten Einsatzbedingungen
S 109 - 113
Dipl.-Ing. Dieter Buttgereit Vorstellung neuester HFO-IC's - ISA - für multivalenten Einsatz S 114 - 124
Dipl.-Ing. Wolfgang Schuster (INT) Der Schaltnetzteilansteuer-IS B260 und seine Einsatzmöglichkeiten S 125 - 138

Band 2 Dr.-Ing. H. Greiner (Neuhaus) Hybridgerechte Transistoren im SOT23-Gehäuse S 139 - 148
Ing. Winfried Müller (WFB) Neue optoelektronische Anzeigebauelemente S 149 - 165
Dipl.-Ing. P. Kowollik (Robotron) Mikrorechnersysteme robotron K1520, K1600 und ihre Einsatzmöglichkeiten S 166 - 174
K. E. Ehwald (IPW der AdW Falkenhagen) Technologische Probleme und bisherige Ergebnisse bei der
Versuchsfertigung rauscharmer Sperrschicht-Feldeffekttransistoren
S 175 - 186
Dipl.-Ing. Jaromir Jurecka (TESLA Roznov) Integrierte Schaltkreise TESLA für Mikrocomputersysteme S 187 - 205
Dipl.-Phys. Kuhn (IfR der AdW) Problemorientierte elektronische Bauelemente
des Baugruppensystems URSALOG 4000
S 206 - 218
Dipl.-Ing. Klaus Büchner (Neuhaus) Aufbau, Eigenschaften und Anwendung des integrierten Schwellwert-IS A302 S 219 - 226
Dipl.-Ing. Bernd Seeger (FWE) Die Uhrenschaltkreise des VEB Funkwerk Erfurt S 227 - 243
Dipl.-Ing. Wolfgang Wagner Das Mikroprozessosystem U880 S 244 - 263

1982
Band 1
G. Albrecht Physik und Technologie mikrostrukturierter Funktionselemente:
Beiträge der AdW der DDR für die Mikroelektronik
S 1 - 13
A. Möschwitzer Elektronische Eigenschaften skalierter MOS-Transistoren für VLSI-Schaltkreise -
ein Überblick
S 14 - 27
E. Köhler Die Entwicklung der MOS-Technik zu extremen Eigenschaften:
Gatterverzögerungszeiten unter hundert Pikosekunden
S 28 - 47
He. Erzgräber Einige physikalische und technologische Probleme bei der
Realisierung skalierbarer dRAM-Zellen für VLSI-Speicher
S 48 - 58
W. Winkler, P. Schleg Speicherzellen für hochintegrierte dynamische RAM's S 59 - 70
R. Pilz Zum Problem der Ausbeuteerhöhung bei großen dynamischen RAM-Speichern
durch den Einsatz von Redundanz
S 71 - 78
B. Dietrich Aspekte von Mischtechnologien (Kurzfassung) S 79 - 80
R. Winkler Ergebnisse und Probleme einer SOI/SOAS-Technologie S 81 - 94
D. Thomas Untersuchung zum Refresh-Verhalten von dynamischen RAM-Zellen S 95 - 103
H. Eberius Möglichkeiten zur Erhöhung der Empfindlichkeit von Sensorschaltungen
für dynamische MOS-RAM
S 104 - 110
U. Hartmann Modellvorstellungen und experimentelle Ergebnisse zur Kanalinjektion
in NMOS-Transistoren
S 111 - 116
V. Hähne, F. Sohackow Programm zur Modellierung der elektrischen Eigenschaften von Halbleiteranordnungen S 116 - 128
M. Auer, P. Bartsch Die Weiterverarbeitung von Halbleiter-Chips und daraus abgeleitete Aspekte
für deren Entwurf und Herstellung
S 129 - 134
B.P. Derkatsch, B.M. Korsunski. Über einige wichtige Probleme der Elektronenstrahl-Lithografie
und Wege zu ihrer Lösung
S 135 - 154
J. Jablonski Der Proximityeffekt in der Elektronenstrahllithografie S 155 - 176
B. Schleusener Zur Löslichkeit positiver Elektronenresists S 177 - 190
J. Bauer Justiermarken für die Elektronenstrahllithografie und
Testung an dem ZRM 12
S 191 - 202
K. Grantscharow, A, Balabanowa, S. Martinow, S.Georgiew Zum Einfluß der Justiergenauigkeit der Wolframnadelkatode S 203 - 208
R. Wagner, M. Herrig, J. Bauer Zu einigen Möglichkeiten der Projektionsfotolithografie bei der
Anwendung von partiell-kohärenter bzw. bi- oder polychromatischer Belichtung
S 209 - 221
H.J. Vollmer Überblick zur Ionenstrahl-Lithografie S 222 - 232
L. Wigant, E. Richter, E, Jablonski, H.-J.Lorkowski Zur Anwendung von Negativ-Elektronenstrahlkopierlacken
in der Mikrolithographie
S233 - 243
K. Pfeiffer, B. Rapsch, H.-J. Lorkowski Positiv-Elektronenstrahlkopierlacke für die Mikroelektronik S 244 - 254
S. Hähle, M. Minor Untersuchungen zum Schleuderbeschichten von Elektronenlacken S 255 - 270
L. Weh Das Oberflächenverhalten von Positivresists bei der Schichtbildung S 271 - 275
M. Roßberg, E. Linke, K. Pfeiffer Massenspektrometrische Thermoanalyse zur Charakterisierung
von E- und R-Resists
S 276 - 284
St. Friedrich, A. Großmann, L. Kuhnert Zur Entwicklungskinetik eines Positivresists S285 - 293
R. Oeaterle, D. Maly, D. Pötzschke, M. Reetz Erzeugung von µm- und sub-µm-Strukturen mit reaktivem
Ionenstrahlätzen unter Verwendung von Masken aus elektronenstrahlempfindlichen Resists
S 294 - 304
B. Wiedemann, G. Götz, E.B. Kley, J. Mittenbacher Chemische Strukturätzung ionenimplantierter Schichten S 305 - 315
E. Sennewald, G. Götz, J. Mittenbacher, B. Wiedemann Bestimmung der Implantationsprofile von Bor und Phosphor in
SiO2- und Si3N4-Schichten mittels chemischer Atzung
S 316 - 325
R. Kirsch Kontrolle der thermischen Behandlung von Elektronen-Resists
mittels Ellipsometrie
S 326 - 332
G. Fischer, M. Wäsche, I.v. Lampe, E. Linke, H.J. Lorkowski Mikroskopische Auflichtmethode zur Untersuchung der Resistentwicklung S 333 - 336
D. Maly Störschichten beim Ionenstrahlätzen S 337 - 352
G. Kosza, P. Valko, Th. Morgenstern, F. Richter Wachstum epitaktischer Siliziumschichten mit definiertem Dotierungsproßil S 353 - 360
H. Kühne Kinetik und Thermodynamik des Dotandeneinbaus bei der Abscheidung
von Epitaxiesilizium aus der Gasphase
S 361 - 372
F. Richter, A. Borchardt, E. Bugiel, M. Kittler, G. Weidner, H. Rausch Zum Einfluß von Gasphasenätzung, Abscheidetemperatur und NbG-Präparation
auf die Realstruktur von Silizium-Homoepitaxieschichten
S 373 - 379
J. Schlote, D. Knoll Axiale Inhomogenität des Temperaturprofils von Diffusionsanlagen
bei Chargiervorgängen
S 380 - 389
Th. Morgenstern, H. Kühne, F. Richter, R. Sperling Modellmäßige Beschreibung des horizontalen CVD-Reaktors und ihre
Anwendung auf die Verbesserung der Chargenhomogenität
S 390 - 397
W. Scharff, K. Breuer, J.W. Erben, Ch. Weißmantel, H. Woitteneck, J. Matthäi, M. Voelskow, R. Klabes, A. Schmidt Herstellung kristalliner Si-Schichten auf strukturierten
amorphen SiO2-Substraten
S 398 - 402
M. Manzel, W. Ecke, E. Steinbeiß Abscheidung von Isolatorschichten mittels Plasmatron-Sputterquelle
in Ar/SiH4/O2-Gasgemischen
S 403 - 441
H.-D. Hempel Phosphor-in-situ-Dotierung und -Implantation von Polysiliziumschichten S 442 - 453
S. Blum Technologische Probleme beim Einsatz von Trockenätzverfahren S 454 - 462
B. Müller, G. Nüske Eigenschaften in situ-P-dotierter poly-Si-Schichten S 463 - 472
M. Procop Herstellung und Eigenschaften von Silizidkontakten S 473 - 485
H. Berger, E. Nebauer Ohmsche und Schottky-Kontakte am GaAs S 486 - 491

Band 2 D. Panknin, E. Wieser, H. Syhre, R. Klabes, R. Grötzschel Implantationsprofile nach Lichtimpulsausheilung oder
Niedertemperaturausheilung
S 492 - 498
J. Matthai, M. Voelskow, R. Klabes, S. Mutze Eigenschaften implantierter Polysiliziumschichten nach
Lichtimpulsausheilung
S 499 - 505
K. Hahmuth, K.H. Heinig, R. Klabes Kristallisation ungeordneter Halbleiterschichten durch Bestrahlung
mit Licht oder Elektronen
S 506 - 517
G. Nagygyörgy, K. Sári, G. Kósza, M. Welther Optimization of Boron Doped SiO2 Layer Growth S 518 - 526
W. Andrä, R. Herzer, K. Herre Laserausheilung von As-implantiertem Polysilicium und Auswirkung
auf die Eigenschaften von Polysilicium- und Gateoxiden
S 527 - 535
`W. Andrä jr. Ladungsträgerprofile und Untersuchungen zum Leitfähigkeitsmechanismus
in Silizium nach Laserbestrahlung im Flüssigphasenregime
S 536 - 542
F. Thrum, G. Götz, H.-D. Geiler, H. Hein, K. Blüthner Pd-Silicid-Reaktion durch Millisekunden-Laserbestrahlung S 543 - 550
S. Krauß, H. Lippmann Zu physikalisch-technologischen Aspekten, die die Anwendung des Prinzips
der Skalierung von MOS-Transistoren begrenzen
S 551 - 568
W. Gawalek Schichtsysteme für integrierte Mikrowellenschaltungen S 569 - 574
D. Knoll, J. Schlote Wärmetransportprozesse bei der Messung des T-Profils in Diffusionsöfen S 575 - 583
B. Korneffel, D.P. Morawski, H.-J. Munte Die Anwendung von speziellen Meßverfahren zur Kontrolle der Technologie
des Zyklus I bei der Produktion von optischen Sensoren
S 584 - 597
M. Pilatzek, K.-E. Ehwald, F. Januschewski Messung an Gateringdioden und ihre Auswertung für die Technologiekontrolle
und zur Bestimmung physikalischer Parameter von CCD's mit vergrabenen Kanal (BCCDs)
S 598 - 610
J. Quick, Ha. Erzgräber TVS-Messung zur Prozeßkontrolle des Zyklus I S 611 - 625
Ch. Quick, J. Quiek Schichtdickenmessung von Schichten der nSGT mittels UV-VIS-Spektralphotometer SPECORD M40 S 626 - 631
K. Schmalz, P. Gaworzewski, V.V. Bolotov Eigenschaften von sauertoffreichem Silizium infolge Wärmebehandlung bei 600°C S 632 - 641
J. Reichel Widerstandsänderungen in p-Silizium durch schnelles Abkühlen nach Temperungen S 642 - 646
J. Doerschel, B. Lux, G. Rau Züchtung und Charakterisierung von Siliziumformkristallen S 647 - 652
D. Tänzer, A. Casajus, F.-G. Kirscht Formverhalten von großen Silizium-Scheiben bei Hochtemperaturprozessen S 653 - 664
G. Morgenstern, G. Weidner TEM-Untersuchungen zum Bildungsmechanismus von Oxydationsstapelfehlern
an schwachen mechanischen Oberflächenstörungen
S 665 - 671
H. Flietner Oberflächenuntersuchungen zur Technologie-Analyse und -Optimierung S 672 - 680
H. Krause Elektrische Volumeneigenschaften thermischer SiO2-Schichten S 681 - 688
W. Röpke Untersuchungen zum Isolations- und Ladungsverhalten von MOS-Proben
mit sehr dünnen thermischen SiO2-Schichten
S 689 - 696
D. Günther, M. Schmidt, F. Sprenger Zum Aufbau der Oxidladung in MIS-Strukturen nach Generation
freier Ladungsträger
S 697 - 710
G. Weidner, G. Ritter Defekt-Bildungsmechanismen während der Phosphordiffusion bei
Dotierungskonzentrationen nahe der Löslichkeitsgrenze im Silizium
S 711 - 719
P. Gaworzewski, F.-G. Kirscht, K. Schmalz Zum Zusammenhang von Sauerstoff- und Defektverteilungen in
Czoohralaki-Si-Scheiben nach Wärmebehandlungen
S 720 - 730
F. Kirscht, K. Schmalz, P. Gaworzewski, I. Babanskaja, R. Bertoldi Zur Bildung von Volumendefekten in Cz-Siliciumscheiben infolge
mehrstufiger Wärmebehandlungen
S 731 - 741
R. Gleichmann Elektronenmikroskopische Untersuchungen zur Wirksamkeit der
"Intrinsic" Getterung
S 742 - 745
B. Hahn Der E1nfluß von thermischer Vorbehandlung und definiertem
Sauerstoffgehalt auf das Einsatzverhalten von Cz-Silizium in der Technologie NSGT
S 746 - 749
D. Knoll, A. Fischer Umverteilung von Schwermetallverunreinigungen im Silizium
durch Phosphordiffusion
S 750 - 761
J. Dziesiaty, K.-R. Sprung, K. Ellmer Einfluß einer Argon-Rückseitenimplantation auf die
Minoritätslebensdauer von Si-Substratscheiben
S 762 - 769
W. Seifert, M. Kittler, E. Bugiel, G. Buchheim Untersuchungen zum Einfluß von Verunreinigungsatmosphären auf die
elektrische Aktivität von Defekten und zu deren Einfluß auf BE-Parameter
S 770 - 777
M. Mai, F. Kirscht, R. Bertoldi, E. Bugiel Defektausbildung in vorbehandelten Si-Scheiben nach Prozeßdurchlauß
und Auswirkungen auf ausgewählte Bauelemente-Parameter
S 778 - 783
W. Nitzsche Optimierung des Einsatzverhaltens von Si-Substratscheiben unter Ausnutzung
des Sauerstoffgehaltes
S 784 - 787
H.-F. Hadamovsky Probleme der Submikrometerdiagnostik S 788 - 794
E. Bugiel, A. Casajus, M. Kittler, G. Weidner Komplexe Charakterisierung von Kristalldefekten im Silizium mittels
Röntgentopographie-, EBIC- und TEM-Untersuchungen
S 795 - 799
P. Zaumseil, U. Winter Ein röntgenographisches Verfahren zur Bestimmung von Dotierungsprofilen S 800 - 805
J. Heydenreich Moderne Elektronenstrahl-Diagnostikverfahren S 806 - 822
O. Breitenstein Kapazitätsspektroskopie tiefer Störstellen im Rasterelektronenmikroskop S 823 - 830
M. Kittler, W. Seifert Zur Charakterisierung von Halbleiter-Silizium mit der EBIC-Methode S 831 - 841
H. Blumtritt, L. Pasemann Ein Verfahren zur Diffusionslängenbestimmung mit der EBIC-Technik S 842 - 850
E. Koch, F. Huth, W. Joachimi, W. Hergert Rasterelektronenmikroskopischa (EBIC)- und mikroanalytische
Untersuchung von Metallisierungsschichten auf Si
S 851 - 855
Chr. Wenzel Einsatz der Elektronen-Energieverlust-Spektrometrie (ELS) für
Werkstofforschung und Analytik
S 856 - 861
H. Koch, K. Freyer Zur Anwendung nuklearer Analysenverfahren in der Halbleiterindustrie S 862 - 870
W. Rudolph, R. Grötzschel Die Untersuchung von Schichtsystemen mittels RBS S 871 - 878
P. Zaumseil, U. Winter, C. Becker, R. Imamov, M. Kowalchuk Röntgen-Dreikristalldiffraktometrie zur Untersuchung von Defekten
in dünnen Oberflächenschichten und im Kristallvolumen
S 879 - 884
K.E. Ehwald Zum Ausräumverhalten kleiner Signalladungen bei verschiedenen Typen
von CCD-Sensorelementen
S 885 - 896
C. Becker, A. Borchardt Diagnostik an Teststrukturen des IPW S 897 -

1983
(10.)Band 1
Dipl.-Ing. Klaus Riediger (AEB) Arbeitsweise und volkswirtschaftliche Effekte der
Beratungs- und Informationsstellen Mikroelektronik des VEB AEB
S 1 - 10
Dr. J. Fraikin Eigenschaften, Anwendungsmöglichkeiten und ökonomische Effekte
beim Einsatz des Arithmetik-IS U832
S 11 - 27
Dr.-Ing. Jens Knobloch
Dr.-Ing. Stefan Günter
Dipl.-Ing. Wolfgang Wahl
U224 und U214 - 4096 Bit statischer Speicher-IS S 28 - 35
Dr.-Ing. Eckhard Fehse LS-TTL - Eine leistungsarme Schottky-TTL Logik Serie
für allgemeine Anwendungen
S 36 - 54
Dipl.-Ing. Hennig Zinke Integrierte Schottky-TTL Interface-Schaltkreise S 55 - 91
Dipl.-Ing. Gerhard Reichel Übersicht über die CMOS-Digitalbaureihe V4000D
und die volkswirtschaftlichen Vorteile bei ihrem Einsatz
S 92 - 108
Dipl.-Ing. Rainer Zimmermann Thermische Probleme bei der Anwendung integrierter Schaltkreise S 109 - 119
Dipl.-Ing. Siegfried Güldner D345-348D - eine neue Generation leistungsarmer BCD zu 7-Segmentdecoder
und die ökonomischen Effekte beim Einsatz anstelle D146/147D
S 120 - 131
Dipl.-Phys. Andreas Junghans (FWE) Eigenschaften, Aufbau und Einsatzmöglichkeiten des Zähler-IS U125D S 132 - 142
Dipl.-Ing. Karl-Heinz Kresse Der A2030H/V - ein NF-Leistungsverstärker mit
universellen Einsatzmöglichkeiten
S 143 - 169
Dipl.-Ing. Detlef Dahms BIFET-Operationsverstärker der Reihe B080 - B084 S 170 - 187
Ing. Dieter Jung Transistorarrays B315, B325, B360, B380 -
eine Alternative zum wirtschaftlichen Ersatz diskreter Transitoren
S 188 - 205

Band 2 Dipl.-Ing. Ulrich Roick B555D - ein kostengünstiger Zeitgeberschaltkreis für
einen weiten Anwendungsbereich
S 206 - 224
Dipl.-Ing. Peter Häser E412D - ein störsicherer Schaltkreis für industrielle Steuerungen S 225 - 243
Dipl.-Ing. Franticek Hruby (TESLA Roznov) Analoge Komperatoren TESLA MAC111, MAC160 S 244 - 258
- Neue elektronische Bauelemente aus der UdSSR S 259 - 272
F. Wagner Hybridtechnik - Bemerkungen zur Aufgabenstellung und Leistungsfähigkeit dieser Mikroelektronik-Technologie S 273 - 284
- Ökonomische und schaltungstechnische Effekte beim Einsatz des
Multimeter-IS U126D
S 285 - 296
- Materialökonomische Effekte beim Einsatz des U809M S 297 - 304
Dipl.-Ing. Roland Fischer B390D - ein integrierter Schaltkreis zur Drehzahlregelung kommutatorloser
Kleinstmotoren mit modernster Konzeption für hochwertige Laufwerke
S 305 - 317
Dipl.-Ing. C. Holfert (Hartha)
Dr.-Ing. M. Wilhelm (Hartha)
Ing. D. Zahn (Hartha)
Elektronikmotor mit IS B390 -
ein Antrieb für Kassettenlaufwerke mit hohem Gebrauchswert
S 318 - 333
Dipl.-Ing. Peter Grashoff Die Funktion der Fernsteuerschaltkreise U806D und U807D und ihre Anwendung S 334 - 353
Dipl.-Ing. Bernd Seeger Die Funktion der Uhrenschaltkreise U130X, U131G, U132X und
ihr Einsatz in der Konsumgüterindustrie
S 354 - 375
Dipl.-Phys. Hartwin Obernik
Dipl.-Phys. Frank Gabriel
Elektroluminiszenz-Displays -
ein neues Festkörperbauelement für die Anzeigetechnik
S 376 - 388

Band 3 Dipl.-Phys. Karl-Heinz Arnold Ergebnisse und Erfahrungen beim Aufbau des
zentralen Nachweisspeichers angewandte Mikroelektronik
S 389 - 397
Dipl.-Ing. Hans-Jürgen Wägner B304D, B305D, B306D - eine neue Generation von Schaltkreisen
für induktive Initiatoren und allgemeinen Einsatz
S 398 - 417
Dipl.-Ing. Herbert Sowa (MGB) Anwendungsmöglichkeiten der IS B304D, B305D, B306D S 418 - 438
G. Neugebauer Stand der Einführung des HFO-ISA-Systems S 439 - 447
Prof. Dr.-Ing. M. Roth (TU Ilmenau)
Dipl.-Ing. W. Fengler (TU Ilmenau)
Mikrodat 80 - ein modernes Konzept zur Prozessmesswert-Verarbeitung S 448 - 454
Ing. Lutz Erhardt (GWS) Energie sparen mit Leistungshalbleitern S 455 - 461
Dr.-Ing. Bodo Hildebrandt (GWS) Anwendung der Leistungsschalttransitoren SU167/169 S 462 - 477

1984 (verschiedene Autoren) III. Symposium "Physikalische Grundlagen zu Bauelementetechnologien der ME"
(verschiedene Autoren) III. Symposium "Physikalische Grundlagen zu Bauelementetechnologien der ME" -
Programm
(verschiedene Autoren) III. Symposium "Physikalische Grundlagen zu Bauelementetechnologien der ME" -
Programmänderungen

1985
(11.)Band 1
Dipl.-Ing. Thierfelder (ZFTM) U8047 - ein Einchip-Mikrorechner mit 4 Bit Verarbeitungsbreite S 1 - 12
Dr. rer. nat. Thomas de Paly (ZFTM) U2161 - ein 64 kBit dynamischer Speicher S 13 - 23
Dipl.-Ing. G. Dugnus (MME) Neue Festwertspeicher-Bauelemente aus dem MME S 24 - 40
Dr.-Ing. Eckhard Fehse
Dipl.-Ing. Eberhard Seeling
Erweiterung der leistungsarmen Logikreihe in Schottky-TTL-Technik S 41 - 65
Dipl.-Ing. Henning Zinke B511N / B589N -
integrierte Schaltungen für kostengünstige Temperaturerfassung
S 66 - 80
Dr.-Ing. B. Kahl C500-Reihe -
ein Schaltkreissatz für Digitalvoltmeter mit 4 1/2-Digit Anzeige
S 81 - 100
Dr.-Ing. J. Pfotenhauer Stand und perspektivische Entwicklung von Sensoren
im Bereich Elektrotechnik/Elektronik
S 101 - 110
W. W. Batschurin HF-MIS-Leistungstransistoren KP901, KP902, KP904, KP905, KP907, KP908 S 111 - 131
W. A. Schachnow Mikroprozessoren und mikroprozessorgestützte Mittel der Rechentechnik S 132 - 162
Ing. Helmut Jahn A2000V / A2005V - Doppel-NF-Leistungsverstärker für
den ökonomischen Einsatz in Stereo-Auto-Kofferempfängern
S 163 - 180
Dipl.-Ing. Ulrich Roick A3501D, A3510D, A3520D -
IS für die Farbaufbereitung von PAL- und SECAM-Norm
S 181 - 200

1985 -
Band 2
Dipl.-Ing. Horst Jüngling A4100D - AM/FM-ZF-Schaltkreis mit hohem Integrationsgrad
für Koffer- und Heimgeräte
S 201 - 210
HS-Ing. Peter Edelmann A1818D - Aufnahme-Wiedergabeverstärker für
Kassetten- und Radiokassettengeräte
S 211 - 229
Dipl.-Phys. Monika Arnold Der Informationsdienst Mikroelektronik - wesentlicher Faktor zur
Beschleunigung der Entwicklung und Anwendung mikroelektronischer Bauelemente
S 230 - 242
Dipl.-Ing. Klaus Riediger Ergebnisse der Beratungs- und Informationsstellen Mikroelektronik
des VEB Applikationszentrum Elektronik Berlin (AEB)
S 243 - 251
Prof. Dr. sc. G. Heymann (HUB)
Dipl.-Ing. J. Denecke (WFB)
Neue optoelektronische Infrarot-Bauelemente S 252 - 259
Dipl.-Ing. Hartmut Berndt (ZFTM) Gefährdung elektronischer Bauelemente durch elektrostatische Entladung (ESD) S 260 - 270
Dipl.-Ing. Georg Bendlin Der Taschenrechnerschaltkreis U825G als Echtzeituhr im K1520-System S 271 - 282
Dipl.-Ing. K.-D. Kirves U826G als Arithmetikprozessor im K1520 S 283 - 296
Dipl.-Ing. H. Kieser U8000 - ein leistungsfähiges 16Bit-Mikroprozessorsystem S 297 - 308
Dipl.-Ing. Mario Bankel Übersicht über die 8Bit-Einchipmikrorechner
des VEB Mikroelektronik "Karl Marx" Erfurt (MME)
S 309 - 326
Dipl.-Ing. Detlef Dahms Leistungsarme Operationsverstärker der Reihe B060 ... B066D
in BiFET-Technologie
S 327 - 340
Dr.-Ing. Jürgen Dietrich
Dr.-Ing. Bernd Kahl
10- und 8Bit-AD-Wandlerschaltkreise C571D und C570D S 341 - 348
Dipl.-Ing. Horst Zinke
HS-Ing. Manfred Kulesch
8-, 10- 12Bit-DA-Wandlerschaltkreise C565D, C5650D, C5658D S 349 - 357
Dipl.-Ing. Werner Dennstedt U807D als Tastaturinterface für den Heimcomputer HC900, bzw.
für Mikrorechnersysteme auf U880-Basis
S 358 - 369
Dipl.-Ing. Karrasch E310D - Intergrierter Blinkgeberschaltkreis für den
Einsatz in Personen- und Nutzfahrzeugen
S 370 - 391

1985 -
Band 3
Dipl.-Ing. Wilfred Löffler (AEB) Neue diskrete Halbleiter-Bauelemente aus dem RGW S 392 - 399
H. W. Mittenentzwei Konstruktion und Eigenschaften hochsperrender Silizium-Leistungsschalttransitoren S 400 - 419
H. Conrad; H. Güldner
K. Lehnert; U. Nicolai
Erfahrungen und Probleme beim Einsatz moderner Leistungs-Halbleiterbauelemente S 420 - 451
M. Kronberg
W. Schreiter (GWS)
Anwendung von Leistungsschalttransistoren S 452 - 470
Dipl.-Phys. Peter Brüseke
Dr. Lothar Elstner (ZI EPh)
Schottky-Dioden-Parameter und applikative Aspekte - SY525, SY526 S 471 - 483
Dipl.-Ing. Kurt Biebler (AEB) Sensoren und Sensortechnik auf Basis der Halbleitertechnik des VEB KME S 384 - 391
Dr. Dieter Bühling (KKWH) Keramische Sensoren S 492 - 511
Dr.-Ing. R. Mäder
Dipl.-Phys. P. Reinhardt (EBT)
Sensoren auf Basis Folien S 512 - 521
Manfred Schulz (GWS) Übersicht zum Bauelemente-Sortiment der Leistungselektronik S 522 - 531

1987
(12.)Band 1
Dipl.-Ing. Gerd Krybus (IfAM - AEB) Ingenieurbetriebe für die Anwendung der Mikroelektronik (IfAM) S 1 - 11
Dr.-Ing. Ecke/Gobelny (ZFTM) Testmethodik von Gate-Array-Schaltkreisen S 12 - 16
Dipl.-Ing. Frank Reimann (IfAM KMSt) Rationelle Entwicklung bei objektkonkreter Software beim Einsatz der PKS100/200 S 17 - 30
Dr.-Ing. H. Greiner (MSN) Allgemeine Entwicklungsrichtungen bei Transistoren S 31 - 44
Dipl.-Ing. Höpfner (IfAM FfO) Mikroelektronische Steuerung für biotechnologische Prozesse
bei der Molkeverhefung
S 45 - 50
Dipl.-Ing. Wolfgang Riegel (MLS) RBSOA - Der sichere Arbeitsbereich beim Ausschalten von
Leistungsschalttransistoren
S 51 - 57
Dipl.-Ing. Hofrichter (ZMD) Speicher IC U6516D S 58 - 65
Dipl.-Ing. Eberhard Böhl (ZMD) Der Floppy-Disk-Controller U8272D S 66 - 81
Dipl.-Ing. Egon Schröpfer (MME) U714P - ein universeller LCD-Matrizensteuerschaltkreis S 82 - 97

1987 -
Band 2
Dipl.-Ing. Peter Grasshoff Ein digitalen Absimm- und Anzeigesystem für Rundfunkempfänger
mit verfügbaren Bauelementen
S 98 - 112
Dipl.-Ing. Zielosko; Ing. Jansen
Dr.-Ing. Karolewski (MME)
Zur Entwicklung der Zuverlässigkeitsarbeit an unipolaren Schaltkreisen S 113 - 114
- (KKWH) Analoge Hybridschaltkreise für Mikrorechner-Peripherie S 115 - 131
Dipl.-Ing. Hermann (AEB) U2148D - ein statischer Speicher mit schnellen Zugriffszeiten S 132 - 142
Dipl.-Ing. Mario Bankel (MME) Der Grafik-Display-Controller U82720D - Technische Daten und Applikation S 143 - 155
Dipl.-Ing. Gerhard Dugnus (MME)
Dipl.-Ing. Siegmar Müller
ROM-Schaltkreis U2365D45 BM200 ergänzst den UB8830 S 156 - 176
Dipl.-Ing. Klaus-Dieter Möller (MME) Der PLL-Synthesizerschaltkreis U1056D und seine Anwendung S 177 - 191

1987 -
Band 3
Dipl.-Ing. Klaus Storch (KWH)
Dipl.-Ing Roland Fischer (HFO)
Integrierte Präzisionsstromquellen B724X, B7240X in
hochauflösenden hybriden DA-Wandlern
S 192 - 198
Dipl.-Ing. Detlef Dahms B4206, B4207, B4211 - Familie integrierter Schaltkreise zur
Phasenanschnittsteuerung von Triac's und Thyristoren
S 199 - 220
Dipl.-Ing. E. Seeling
Dr.-Ing. E. Fehse
Weitere Schaltkreise der leistungsarmen Logikreihe in Schottky-TTL-Technik S 221 - 247
Dipl.-Ing. Henning Zinke C560D - mikroprozessorkompatibler 8Bit DA-Wandler S 248 - 259
Dipl.-Ing. Gerhard Neugebauer Durchgängiges Entwurfsystem für ISA-Kundenschaltkreise S 260 - 267
Dipl.-Ing. Klaus Christen C574 - leistungsfähiger 12Bit A/D-Wandler S 268 - 277
Dipl.-Ing. E. Kulla B4002D - ein Ansteuerschaltkreis für Leistungsschalttransistoren S 278 - 292

1987 -
Band 4
Dipl.-Phys. Günter Gittner CMOS Analog-Digitalwandler C7136D S 293 - 306
Dipl.-Ing. Eberhard Seeling Kurzschlußfester Treiberschaltkreis E435E S 307 - 322
HS-Ing. Peter Edelmann A1524D - kostengünstige, hochintegrierte NF-Stereo-Einstellkombination S 323 - 338
M. Schulz (MLS) Zur Entwicklung der Leistungselektronik in der DDR S 339 - 346
Dipl.-Ing. Thomas Birke (FWB) Der ISA-Schaltkreis K630D - Eigenschaften und Anwendung als ZF-Verstärker S 347 - 357
M. Dinter (ZFTN) Steuerschaltkreis KD310 für Teilnehmereinrichtungen S 358 - 369
Dr. Volker Tüngler (ZFTN) Der Fehlerortungsschaltkreis KD320 für PCM-Taktaufbau
Prüfung und Eigenschaften
S 370 - 377
Dr. Volker Tüngler (ZFTN)
Andreas Buchelt
Erfahrungen aus der gemeinsamen Entwicklung nachrichtenspezifischer Schaltkreise und zu ziehende Schlußfolgerungen für die weitere Zusammenarbeit S 378 - 386

1987 -
Band 5
Dr.-Ing. Bodo Hildebrandt (MLS) Schaltverhalten der Silizium-npn-Darlington-Leistungsschaltransistoren
der Reihe SU510 bei induktiver Last
S 387 - 397
Dipl.-Ing. Horst Jüngling ISA-Schaltkreis AK317 - Eigenschaften S 398 - 416
Dipl.-Phys. Gerd Daute (ZIM) Ergebnisse des Entwurfs des Gate-Array U5201PC-501 -
Auswertelogik für inkrementale Wegmeßsysteme (MELS1)
S 417 - 431
- TESLA Digitale integrierte Schaltkreise ALS-TTL S 432 - 446
Dipl.-Ing. Ladislav Jakub (TESLA Roznov) Neue bipolare PROM-Speicher S 447 - 465

1989
(12.)Band 1
Jens Knobloch (ZMD) Der Megabitspeicher U61000 S 3 - 8
G. Erbert, W. Hörnlein, A. Klehr
(ZI-OS der AdW)
Charaktrerisierung von Halbleiterlasern für
die Lichtleiter-Nachrichtenübertagung
S 9 - 20
Christoph Meinel (MSN) Mikrowellentransistoren aus dem VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus S 21 - 35
G. Erbert, J. Frahm, A. Bärwolff
(ZI-OS der AdW)
Laserdioden und Lasermodule für
die Lichtleiter-Nachrichtenübertagung (LLNO)
S 36 - 49
H. Greiner, M. Rosenbusch (MSN) GaAs-Transistoren der Typenreihe VFE15 S 50 - 69
Gerhard Kohl (FWB-K) Sende- und Empfangsbauelemente in den Systemen der LWL-Nachrichtenübertagung S 70 - 72
Henry Hörnicke (ZeG Mittweida) SMD-Technik im wissenschaftlichen Gerätebau S 73 - 76
B. Röding (EAW-ZFT) Hybrid-integrierte Schaltungen für Lichtwellenleiter-
Kurzstreckenübertragung (LLKÜ) Sender OS8,5M; Empfänger OE8,5M
S 77 - 86
Dr. Heinz Döring (IHS Mittweida) Einsatz des A/D-Wandlers C574 für Messungen mit
einer Auflösung von mehr als 15Bit
S 87 - 95
Bernd Kahl U736D, U739D, U670C -
Weiterentwicklungen auf dem Gebiet der Analog-Digital-Wandler
S 96 - 120

1989 -
Band 2
Uwe Beier Gleichspannungswandler mit hohem Wirkungsgrad und großem Ausgangsstrom
(B2960) und zur Betriebspannungsversorgung von Kleinleistungsstufen (U7660)
S 121 - 149
Hans-Peter Karrasch A1670V - eine betriebssichere Vertikalablenkschaltung für Farbfernsehgeräte S 150 - 165
Helmut Jahn Der B466GA - ein Hall-IS für die KFZ-Technik S 166 - 192
Eckhard Fehse U4541DG - Timer-IS für Zeitrelais und allgemeinen industriellen Einsatz S 193 - 211

1989 -
Band 3
Eberhard Seeling 8Bit-Treiberschaltkreis D4803DC S 212 - 236
H. H. Krüger, D. Drechsler, F. Richter B2600 - moderner Sekundär-Schaltkreis für industrielle Schaltnetzteile S 237 - 251
Dipl.-Ing T. Stautmeister
Dr. rer. nat. B. Lux (ZFT Robotron)
Gatearray-Einsatz im intelligenten CCD-Zeilensensor für die
schnelle Binärbildauswertung (U5201-FC901... 903)
S 252 - 260
G. Fleischmann, G. Klock, F. Krumbein,
T. Spaete (MME), V. Pfeiffer (WMF)
U840PC - Spezialprozessor für binäre speicherprogrammierbare Steuerungen S 261 - 273
Jochen Albrecht (ZI-EPh der AdW) Galliumarsenid-Bauelemente S 274 - 280
U. Plauschin, K.-E. Ehwald, K. Engel,
P. Schley (IHP der AdW, ZWG)
L115C und L173C - Spezielle CCD-Sensoren für die optische Spektroskopie S 280 - 290

1989 -
Band 4
Frantisek Hruby (TESLA Roznov) Präzision-Intrumentenverstärker MAC524C, MAC626C S 291 - 317
Frantisek Hruby (TESLA Roznov) Präzisions-Spannungsreferenz MAC199 S 318 - 335
Detlef Dahms B411DD - Präzisions-Operationsverstärker
B4204DE / B4205DE - IS für Nullspannungsschalter
S 336 - 353
W. R. Sieron (ZMD) VLSI - Entwurfssystem für U1600 S 354 - 368
Hans-Friedrich Hadamovsky (ZI-EPh der AdW) Schaltleistungs-Bauelemente - Stand und Perspektiven S 369 - 381
Michael Ritter (MME) 8Bit-CMOS-Mikroprozessorsystem U84C00 S 382 - 389

1989 -
Band 5
Dipl.-Ing K. Schröter, Dipl.-Ing G. Weißbach,
Dipl.-Ing. B. Pritzke (FZ MWB)
Anwenderspezifische Schaltkreise für die Steuerung SPS7010 S 390 - 399
Klaus-Dieter Möller (MME) Der 64k-EPROM U2764CC - Technische Beschreibung und Programmiertechniken S 400 - 416
Frank Meinecke (MME) Fehlererkennungs- und Korrekturschaltkreis U80608 S 417 - 427
Wilfried Schmidt (MME) DRAM-Controllerm U80610 S 428 - 438
Volkmar Heilbock (MME) U80606DC - Der Bus-Controller für den schnellen 16Bit-Miroprozessor U80601 S 439 - 452
Marko Schmidt (MME) Periphere Schaltkreise CIO und SCC S 453 - 478
Bodo Hildebrandt (MLS) Ausgewählte Meßergebnisse zur Anwendung der Silizium npn-
Darlington-Leistungsschalttransitoren SU520, SU519, SU518
S 479 - 485

1989 -
Band 6
Wilfried Hofrichter (ZMD) 64kBit statischer CMOS-Speicher U6264D S 486 - 501
Thomas Wolf (ZMD) 4kBit statischer CMOS-Speicher U6548 S 502 - 515
Gerhard Reichel (MME) Die schnelle CMOS-Logik-Baureihe U74HCT000DK des
VEB Mikroelektronik "Karl-Marx" Erfurt
S 516 - 544
H. W. Stange, H. Klein (ZFT KNE) Einsatzerfahrungen mit aufsetzbaren Bauelementen (SMD) S 545 - 557
Siegmund Kobilke (WFB) Lichtwellenleiter-Kurzstreckenübertragung S 558 - 576

1989 -
Band 7
Michael Gieseler, Manfred Sorst (KCZ) Gate-Array-Schaltkreissystem U5300 S 577 - 598
Christian Rößler (WFB) MQE10 - Eine dreistellige Lichtemitteranzeige mit AD-Wandler-Funktion S 599 - 607
Werner Müller (Robotron-MKD) Ergebnisse und Vorteile eines engen Zusammenwirkens des VEB Kombinat Robotron mit der Bauelementeindustrie beim Entwurf und der Entwicklung neuer kundenspezifischer Schaltkreise (ASIC-SKE für den BIC) S 608 - 615
Klaus Illgen (WFB) TV-Bildaufnahmesensoren mit Farbfilter S 616 - 619
E. Ahrenz, D. Hammer,
U. Kucharzyk, H. Pietsch (IfIR der AdW)
Einsatz moderner Mikroprozessoren in Multiprozessorsystemen
mit konfigurierbarer Leistung und Zuverlässigkeit
S 620 - 635





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