Schriftenreihe der Halbleiterbauelemente-Symposien

Ab den frühen 1960er Jahren wurden zunächst jährlich und dann aller zwei Jahre in Frankfurt/Oder ein so genanntes "Halbleiterbauelemente-Symposium" durchgeführt. Dazwischen gab es dort ab den 1980er Jahren dann auch noch spezielle Symposien zu Fragen der HL-Technologie.
Schirmherr und Organisator war der VEB Halbleiterwerk Frankfurt/Oder (HFO) in Zusammenarbeit mit der örtlichen Kammer der Technik (KdT).
Von den neuesten Entwicklungen der DDR-Halbleiterindustrie wurde berichtet - in Ausnahmefällen auch aus einigen Halbleiterschmieden des RGW - vornehmlich TESLA (CSSR). Aber auch Einsatzberichte aus der Anwenderindustrie wurden vorgetragen.
Zur Freude der Anwender gab es die zahlreichen Vorträge auch in Printform - oft als A5-Hefte miserabler Druckqualität, teilweise auch lose Blätter in A4- und A5-Format. Obwohl einige ausgewählte Beiträge auch an anderer Stelle veröffentlicht wurden - so z.B. in der Fachzeitschrift "radio fernsehen elektronik" (rfe), konnte ohne die Original-Skripte kaum von einer in der Breite wirksamen, allumfassenden Information ausgegangen werden. So kann es also durchaus vorkommen, dass Informationen zu bestimmten Bauelementen oder allgemeineren Themen nur in diesen Skripten abgedruckt wurden.
Leider sind die Skripte (Referate) der ersten Halbleiter-Symposien kaum noch verfügbar und ob die in den wenigen öffentlichen Bibliotheken - z.B. die Staatsbibliothek zu Berlin - vorhandenen vollständig sind, ist auch nicht sicher.

Übersicht der vorhandenen Dokumente als Datein:

1966: 1966 (1., keine Vortrags-Skripte)

1967: 1967 (2., keine Vortrags-Skripte)

1969: 1969 (3., keine Vortrags-Skripte)

1971: 1971 (4., keine Vortrags-Skripte)

1973: 1973 (5.)

1975: 1975 (6.)

1977: 1977 (8. ???)

1979: 1979

1981: Band 1, Band 2 (9.)

1982: Band 1 (II.), Band 2 (keine Vortrags-Skripte)

1983: Band 1, Band 2, Band 3 (10.)

1984: 1984

1985: Band 1, Band 2, Band 3 (11.)

1987: Band 1, Band 2, Band 3, Band 4, Band 5 (12.)

1989: Band 1, Band 2, Band 3, Band 4, Band 5, Band 6, Band 7 (13.)

Achtung!
Falls Leser weiteres Material/Hefte zur Verfügung stellen können (auch leihweise), würde deren Inhalt zur Vervollständigkeit dieser Wissensbasis gern veröffentlicht werden.

Inhaltsverzeichnisse

1966 (1.)	Dipl.-Phys. Kling	Stabilitätsbewertung von Transistoren
	Dipl.-Ing. Parnow	Schaltzeitenmeßgerät mit direkter Sichtanzeige
	Dipl.-Ing. Mielke	Messung des Durchschaltverhaltens von Transistoren
	Dipl.-Ing. Knopke	455kHz-AM-ZF-Verstärker mit dem Transistor GF129
	Dipl.-Phys. Haberlandt	Stereo-ZF-Verstärker 10,7MHz
	Ing. Fischer	Untersuchungen an NF-Endstufen
	Prof. Dr. Lappe (TU Dresden)	Einsatzmöglichkeiten von Bauelementen der Leistungselektronik in der Stromrichtertechnik
	Dipl.-Ing. Kuhnert	10A- und 200A-Si-Dioden des HFO
	Ing. Engler	Gleichrichtersätze aus 10A-Si-Gleichrichterdioden
	Dipl.-Ing. Friedrich	Meßverfahren und -geräte zur Bestimmung der Kenndaten von Hochstromgleichrichtern und Thyristoren
	Dipl.-Ing. Stoltz (VEB Elpro Berlin)	Betriebserfahrungen mit Gleichrichterdioden in E-Loks
	Dipl.-Ing. Heinz (VEB Elpro Berlin)	Betriebserfahrungen mit Gleichrichterdioden in Elektrolyse-Anlagen
	Dipl.-Ing. Scheuplein (VEB EAW Berlin)	Entwicklung von luftgekühlten Gleichrichtersätzen im VEB EAW Berlin
	Dr. Nienke (VEB EAW Berlin)	Entwicklung von wassergekühlten Gleichrichtersätzen im VEB EAW Berlin
	Ing. Rueckert (Fa. Kjellberg Finsterwalde)	Erfahrungen beim Einsatz von Si-Dioden in Gleichrichtern
	Ing. Janitz	Überspannungsschutz von Si-Gleichrichterdioden mit Varistoren
	Ing. Krug	Anlaßgerät für Verbrennungsmotoren mit Si-Gleichrichterdioden VSF200/1
	Dipl.-Ing. Schiller	Das Langzeitverhalten von Germaniumtransistoren
	Dipl.-Ing. Ludwig	Beitrag zum Zuverlässigkeitsverhalten von Si-Planartransistoren
	Dipl.-Ing. Kugler, Dipl.-Ing. Hübner	Transistoren für industriellen Einsatz
	Dipl.-Ing. Ludwig	Die Problematik der Zuverlässigkeitsermittlung an Si-Gleichrichterdioden für Starkstromanwendungen

1967 (2.)	Dipl.-Phys. Bödelt (KdT, HFO)	Begrüßung und Eröffnung
	Prof. Dr. Falter (ZLA)	Stand und Perspektive der Anwendung von Halbleiter-Bauelementen
	Prof. Dr. Heinze (TH Ilmenau)	Die Bedeutung der statistischen Qualitätsüberwachung in der Halbleitertechnik
	Dr. Auth (HFO, Wiss. Direktor, Mitglied des Forschungsrates)	Stand und Perspektive physikalisch-technologischer Erkenntnisse bei der Herstellung von Halbleiter-Bauelementen
	Dipl.-Phys. Pohl (HFO)	Entwicklung von Halbleiter-Bauelementen - ökonomisch betrachtet
	Prof. Dr. Paul (TH KMSt)	Erkenntnisstand, physikalische Grenzen und Realisierungsmöglichkeiten des bipolaren Transistors
	Dipl.-Ing. Krüger (HFO)	Eigenschaften von Transistoren der Typenreihe SF126 bis SF128
	Dipl.-Ing. Dornfeld (HFO)	Anwendung von Transistoren der Typenreihe SF126 bis SF128
	Dipl.-Ing. Leetz (HFO)	Eigenschaften von Transistoren der Typenreihe SF136 bis SF137
	Dipl.-Ing. Jüngling (HFO)	Anwendung von Transistoren der Typenreihe SF136 bis SF137
	Dipl.-Ing. Thiele (HFO)	Beurteilung des HF-Verhaltens von Transistoren der Type GF145 bei 800MHz
	Dipl.-Ing. Kender (IfR)	Einsatz von Transistoren in Regel- und Steuereinrichtungen des Systems "Ursamat"
	??? (FWE)	Forderungen an Transistoren für den Einsatz in digitalen Messgeräten
	Dipl.-Phys. Obernick (WFB), Dipl.-Ing. Galow	Epitaxie-Planar-Diffusionsdioden - neue WF-Bauelemente für die Elektronik - Technologie und Zuverlässigkeit - Technische Parameter und Applikation
	Prof. Dr. Lappe (TU Dresden)	Die Umgestaltung der Starkstromtechnik durch die Leistungselektronik
	Ing. Schlegel (HFO)	Dynamisches Verhalten von Si-Gleichrichterdioden
	Ing. Höringer (HFO)	Die Si-Gleichrichterdioden der Typenreihe SY200 bis SY230
	Dipl.-Ing. Hoffmann (VEB Fahrzeugelektrik KMSt)	Drehstromlichtmaschine mit eingebauten Si-Gleichrichterdioden
	Ing. Kindl (VEB Fahrzeugelektrik KMSt)	Reglerschalter für Kraftfahrzeuge mit Regeldiode
	Dipl.-Ing. Menshausen (VEB Walzwerk Ilsenburg)	Betriebserfahrungen mit Si-Gleichrichteranlagen für Cu-Elektrolyse sowie Magnetkranbetrieb
	Ing. Österreich (VEB Fahrzeugelektrik KMSt)	Elektronische Zündungen in Kraftfahrzeugen
	Dr.-Ing. Nopirakowski (Elpro)	Wechselrichter mit Thyristoren
	Dipl.-Ing. Uhlenhut (Elpro)	Thyristorgleichrichter mit Regeleinrichtung für Antrieb kleiner Leistung
	Dipl.-Ing. Stahn (Elpro)	Überstromschutz von Thyristorstromrichtern zur Speisung von Gleichstrommaschinen
	Dipl.-Ing. Mattje (VEB Elektrowärme Sörnewitz)	Anwendung von Halbleiter-Gleichrichterdioden und Thyristoren in Geräten und Anlagen des VEB EWS
	Dipl.-Ing. Knopke (HFO)	Ein Beitrag zur Leistungsverstärkung bei HF-Transistoren
	??? (Zentrallaboratorium für Fernmeldetechnik Berlin	Halbleiter-Bauelemente in der Fernsprechvermittlungstechnik
	Dipl.-Ing. Gränitz (VEB Elektronik KMSt)	Die Störempfindlichkeit logischer Transistorbaustufen
	Dipl.-Ing. Bemmann (VEB Elektronik KMSt)	Einfluß der Zuverlässigkeit und der Preise von Halbleiter-Bauelementen auf die Konzeption einer Baureihe
	Dipl.-Ing. Fischer (VEB Elektronik KMSt)	Einfluß der Zuverlässigkeit und der technischen Parameter von Halbleitern auf die Konzipierung der Preisgestaltung von EDVA
	Dipl.-Ing. Wuschansky (HFO)	Untersuchungen zum 2.Durchbruch von Ge-Kleinleistungstransistoren
	Dipl.-Ing. Safar (CKD Prag)	Leistungshalbleiter-Bauelemente der CKD und deren Verwendung
	Dipl.-Ing. Ekart (CKD Prag)	Einige ausgewählte Messmethoden für Bauelemente der Leistungselektronik
	Dipl.-Ing. Rehak (CKD Prag)	Anwendung von Halbleiter-Leistungs-Bauelementen der CKD
	Dipl.-Ing. Kamenicky (CKD Prag)	kontaktfreie Schalteri der Starkstromelektrotechnik
	Dipl.-Ing. Krug (TU Dresden)	Stromrichter-Synchronmotor mit ankerstromabhängiger Erregung - ein kommutatorloser Bahnantrieb mit hoher Überlastbarkeit
	Dipl.-Ing Seidel (TU Dresden)	Erregung elektrischer Maschinen - insbesondere von Synchronmaschinen mit Hilfe von Halbleiter-Bauelementen

1969 (3.)	Dipl.-Ing. Krüger (HFO)	Experimentelle Untersuchungen zum Schaltverhalten von MOS-Transistoren
	Dipl.-Ing. N. Schiller (HFO)	Gewinnung von Zuverlässigkeitsangaben bei Si-Transistoren
	Prof. Dr. M. Falter	Neue Entwicklungsrichtungen in der Halbleitertechnik
	Dipl.-Ing. U. Zauner (VEB El. Rechenmaschinen KMSt)	Entwicklungstendenzen logischer Baugruppen in der EDV
	Dipl.-Ing. Rolf Dernoscheck (VEB El. Rechenmaschinen KMSt)	Appl. Untersuchungen der Baureihe D2
	Dipl.-Ing. H. Thiele (HFO)	Anwendung der S-Parameter in der Transistor-Schaltungstechnik
	Dipl.-Ing. Ingeborg Groß (FSGW)	Einsatz und Anwendung von Halbleiter-Bauelementen in der Fernsehempfangstechnik
	Ing. H. Schmidt (GWS)	Mitteilung über die Entwicklung einer neuen Kühlkörper-Reihe
	Dipl.-Ing. Hermann Balzer (WTZ Elektroapperate Dresden)	Selbststeuerung von Thyristor-Antiparallelschaltungen
	Dr.-Ing. Ansgar Knapke (TH Ilmenau)	Mehrphasiger zwangskommutierter Wechselrichter mit Gegentaktlöschung
	Ing. Hans-Jürgen Liedtke (EAW) Ing. Stefan Scheublein	Belüftung von Si-Gleichrichterblöcken
	Dipl.-Ing. Johannes Ludwig (HFO)	Zuverlässigkeits-Untersuchungen an Halbleiter-Bauelementen mit hoher zulässiger Verlustleistung
	Dipl.-Ing. Hans Albrecht (WTZ Elektroapparate Dresden)	Drehzahlsteller von Schleifringmotoren durch Pulsung der Läuferkreiswiderstände mit Thyristoren
	Dr.-Ing. Chr. Mauersberger (TU Ilmenau)	Unmittelbare Frequenzumformung mit direkter Kupplung zur Speisung von Elektroantrieben
	Dipl.-Ing. G. Sittnik (Elpro Berlin)	Betriebserfahrungen mit Si-Gleichrichtern auf elektrischen Triebfahrzeugen u. Schlußfolgerungen für die weitere Verwendung
	Dipl.-Ing. P. Büchner (TUD)	Strombeanspruchung der Halbleiterventile selbstgeführter Wechselrichter bei Schaltvorgängen
	Dr.-Ing. Heinz Wolf (WTZ Elektroapparate Dresden)	Bausteinreihe für Thyristor-Wechselstromschalter
	Ing. Brigitte Engel (GWS)	Gleichrichter-Sätze mit 10A-Si-Gleichrichterdioden
	Dipl.-Ing. D. Kling (HFO)	Thermische Kennwerte von Si-Transistoren
	Dipl.-Ing. R. Wuschansky (HFO)	Angaben zum Mitlaufeffekt von Transistoren
	Dipl.-Ing. Peter Baumann (HFO) Dipl.-Ing. Gerd Schwotzer	Zur Beurteilung des HF-Verhaltens von Transistoren
	Ing. Stefan Scheuplein (EAW) Ing. Hans-Jürgen Liedtke	Si-Gleichrichterblöcke für Industrieanwendung
	Dipl.-Ing. Peter Stadt (WFB)	Varakterdioden als Frequenzvervielfacher im GHz-Bereich
	Ing. Rudi Knospe (EAW) Ing. Herbert Preiß	Betriebserfahrungen mit Luft- u. Wasser gekühleten Si-Gleichrichterblöcken
	Dipl.-Ing. Hans-Joachim Blobelt (LEW)	Synchroner Bahnmotor mit Umrichterspeisung

1971 (4.)	Dipl.-Ing. Reimann (RWN)	Möglichkeiten der Holografie zur Strukturübertragung in der Halbleitertechnik
	Ing. Reiner Schlegel (GWS)	Der Schutz des Thyristors durch überflinke Sicherungen
	Dipl.-Phys. H. Beichler (GWS)	Der HFO-Thyristor ST121
	Dipl.-Ing. M. Schulze (TU Ilmenau)	Steuergerät mit großer Impulssteilheit zur Zündung parallel und in Reihe geschalteter Thyristoren
	Ing. Lieban (HFO)	Einheits-Gehäusebaureihe für Halbleiter-Bauelemente der Leistungselektronik
	Dipl.-Ing. Klaus Oemisch (WTZ Elektroapparate Dresden)	Thyristor-Drehstromschalter für Industrieöfen
	Dipl.-Ing. Geißler (WTZ Elektroapparate Dresden)	Überstromschutz von Thyristor-Bausteinen in Antiparallelschaltung für 2A bis 16A
	Dipl.-Ing. Norbert Schiller (HFO)	Die Stellung der forcierten Prüfung im Gesamtsystem der Zuverlässigkeits-Untersuchungen
	Dipl.-Ing. Peter Näser (HFO)	Meßmöglichkeiten für S-Parameter
	Dipl.-Ing. Zimmermann (HFO)	Ergebnisse von Zuverlässigkeitsuntersuchungen an Plasttransistoren
	Ing. Helmut Hoffmann (HFO)	Kenndatenuntersuchungen zum Videotransistor SF150
	Dipl.-Ing. Thiele (HFO)	Dimensionierung von Verstärkern bei höchsten Frequenzen mit S-Parametern
	Dipl.-Phys. Joachim Kühn (GWS)	Leistungsgrenzen des Si-Thyristors

1973 (5.)	Dr.-Ing. H. Seidel (KEAB) Dipl.-Ing. D. Kloock	Reaktionsschnelle Antriebe mit Gleichstrom-Reversierstellern
	Dipl.-Phys. Karl-Heinz Haberlandt (HFO)	Probleme der Anwendung digitaler Schaltkreise
	Dipl.-Ing. Norbert Schiller (HFO)	Ausfallursachen bei npn-Transistoren
	Dr. rer. nat. Ulrich Mohr (GWS)	Avalanche-Effekt in BE der LE
	Dipl.-Ing. Werner Woithe (INT)	Basis- und ZF-Baugruppen in integrierter Technik
	Dipl.-Ing. Ulrich Zschaler (GWS)	Bestimmung virtueller Sperrschichttemperatur
	- ohne -	Datenblätter D100C bis D172C, SS222
	Dipl.-Ing. Hartmut Hertzer (HFO)	Digitale Schaltkreisreihe HFO
	Dr.-Ing. Manfred Kronberg (TH KMSt)	Dünnschicht-Hybridtechnik in Ansteuergeräten der Leistungselektronik
	Dr.-Ing. habil A. Möschwitzer Forschungsstudent L. Pasch (TUD)	Eigenschaften von MNOS-Feldeffekttransistoren für integrierte Halbleiterspeicher
	Dipl.-Phys. Wolf-Dieter Rentsch Dipl.-Ing. Horst Franke (WFB)	Entwicklung 1A-3A-Thyristoren im WFB (incl. Technologie)
	Ing. H.J. Götting (Inst. M.v.Ardenne)	Halbleiter-Bauelemente in der biomedizinischen Elektronik
	(Dr. rer. nat. Dieter Garte) ???	Appl. von Höchstfrequenztransistoren - Vortragsbilder (ohne Text)
	Prof. Dr.-Ing. habil. Werner Mansfeld (INT Radeberg)	Höchstfrequenz-Transistorverstärker in Richtfunkgeräten
	Dipl.-Phys. K.-D. Rojewski Dipl.-Ing. R. Wetzel (Robotron)	ICs - Gestaltung elektronischer Systeme
	Ing. Günter Maasch (HFO)	Kennwerte D100-Reihe
	Dipl.-Ing. Karl Pohl (EAW)	Kühlprobleme an Halbleiterstromrichterblöcken
	Dipl.-Ing. Dieter Fuchs (RWN)	Moderne Bauelemente für die UHF-Technik (incl. Ge-Planar-Technologie)
	Dr.-Ing. Hans Krug (TUD)	Pulssteller in Gleichstromantrieben von Nahverkehrsmitteln
	Ing. Manfred Techow (GWG)	Selengleichrichter - Fortschritte und Anwendung
	Dipl.-Ing. Horst Jüngling (HFO)	SF235 - neuer Si-UKW-Transistor
	Dipl.-Chem. Fritz Engelhardt (VEB Spurenmetalle Freiberg)	Silizium als Grundwerkstoff
	Dipl.-Ing. Klaus Schmitt (FWE)	MOS-Transistoren SM103-104 im Gleichspannungsverstärker
	Dipl.-Phys. Klaus-Peter Steiger EHB/ZLA	Sowjetische Thyristoren der Typenreihe TD und TT
	Ing. B. Engel (GWS)	SY250 - Gleichrichterdiode
	Ing. Heinz Gottschalk (IfR)	Das System "Ursalog S"
	Dipl.-Ing. Peter Güttler (TUD)	Thermisch-elektrische Wechselwirkungen in Si-Planartransistoren
	Dipl.-Ing. Henry Güldner (TUD)	Thyristor-Schwingkreisumrichter zur Mittelfrequenz-Erwärmung
	Dipl.-Phys. Horst Zakrzewski (GWS)	Typensortiment Gleichrichterdioden bis 10A
	Dr. rer. nat. Dieter Garte (AMD)	Wege zu höheren Integrationsgraden
	Ing. Erwin Göttel (EHB/ZLA) Dipl.-Ing. Claus Herrmann Dipl.-Ing. Klaus-Peter Göhler	Neue sowjetische Halbleiter-Bauelemente für die Schwachstromtechnik

1975 (6.)	-	-
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1977 (8.)	HS-Ing. Peter Edelmann (HFO)	A223, IS zur weiteren Erhöhung des Gebrauchswertes von Fernsehgeräten	S 7-32
	Ing. František Striček (Tesla)	Zwei-Norm-Fernsehschaltkreise	S 33-52
	Dipl.-Ing. Horst Jüngling (HFO)	Eigenschaften und Einsatzmöglichkeiten des Analog-IS A244D	S 53-72
	Dipl.-Ing. Werner Gränitz (Robotron)	Erste Ergebnisse der Erprobung sowjetischer Schaltkreise der Serie K155	S 73-82
	Dipl.-Ing. Bernhard Gutsche (HFO)	Eigenschaften und Einsatzmöglichkeiten des Schaltkreises B222D	S 83-98
	Dr.-Ing. N. Schiller, Dipl.-Ing. N. Zidek (HFO)	Untersuchungen zur Feuchtebeständigkeit plastverkappter digitaler IS	S 99-110
	Dipl.-Ing. Bodo Hildebrandt (GWS)	Die Hochspannungstransistoren SU 161, SU 165, SD 168	S 111-128
	Ing. Hans-Jürgen Welzel (FSGW), Dr. Dieter Spindler (TH Magdeburg)	Einsatz der Hochspannungstransistoren SU 161, SD 168 in SW-Fernsehempfängern ...	S 129-146
	Dipl.-Ing. Egon Schwerdt (GWS)	Die Gleichrichterdiode SY181 (SY 185) - eine neue schnelle Leistungsdiode	S 147-154
	Ing. Lothar Adam (GWG)	Freiflächengleichrichter mit Si-Einpreßdioden - Problemlösung mit hohem Gebrauchswert	S 147-154

1979	-	-
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1981 (9.) Band 1	Dipl.-Ing. Siegfried Güldner	D394 - IS für Schrittmotoransteuerung und seine Einsatzmöglichkeiten	S 1 - 8
	Dipl.-Ing. Eberhard Kulla	Neue Operationsverstärker des HFO	S 9 - 21
	Dipl.-Ing. Detlef Dahms	Der LED-Ansteuer-IS A277 und seine Einsatzmöglichkeiten	S 22 - 32
	Dipl.-Ing. Hans-Heinrich Krüger	Der Schaltnetzteilansteuer-IS B260 und seine Einsatzmöglichkeiten	S 33 - 49
	Dipl.-Ing. Peter Näser	Der Treiber-IS D410 und seine Einsatzmöglichkeiten	S 50 - 62
	Dipl.Ing. Ulrich Roick	Neue Bauelemente für die Fernsehgeräteindustrie	S 63 - 84
	Ing. Helmut Jahn	Der Hall-Schaltkreis B461 und seine Anwendung	S 85 - 96
	Dr.-Ing. Bernd Kahl	Analog-Digital-Wandler C520D	S 97 - 108
	Dr. rer. nat. Bern-Georg Münzer (TUD)	Universelles Ausgabe-Interface für Mikrorechner K1520 mit D410D unter veränderten Einsatzbedingungen	S 109 - 113
	Dipl.-Ing. Dieter Buttgereit	Vorstellung neuester HFO-IC's - ISA - für multivalenten Einsatz	S 114 - 124
	Dipl.-Ing. Wolfgang Schuster (INT)	Der Schaltnetzteilansteuer-IS B260 und seine Einsatzmöglichkeiten	S 125 - 138

Band 2	Dr.-Ing. H. Greiner (Neuhaus)	Hybridgerechte Transistoren im SOT23-Gehäuse	S 139 - 148
	Ing. Winfried Müller (WFB)	Neue optoelektronische Anzeigebauelemente	S 149 - 165
	Dipl.-Ing. P. Kowollik (Robotron)	Mikrorechnersysteme robotron K1520, K1600 und ihre Einsatzmöglichkeiten	S 166 - 174
	K. E. Ehwald (IPW der AdW Falkenhagen)	Technologische Probleme und bisherige Ergebnisse bei der Versuchsfertigung rauscharmer Sperrschicht-Feldeffekttransistoren	S 175 - 186
	Dipl.-Ing. Jaromir Jurecka (TESLA Roznov)	Integrierte Schaltkreise TESLA für Mikrocomputersysteme	S 187 - 205
	Dipl.-Phys. Kuhn (IfR der AdW)	Problemorientierte elektronische Bauelemente des Baugruppensystems URSALOG 4000	S 206 - 218
	Dipl.-Ing. Klaus Büchner (Neuhaus)	Aufbau, Eigenschaften und Anwendung des integrierten Schwellwert-IS A302	S 219 - 226
	Dipl.-Ing. Bernd Seeger (FWE)	Die Uhrenschaltkreise des VEB Funkwerk Erfurt	S 227 - 243
	Dipl.-Ing. Wolfgang Wagner	Das Mikroprozessosystem U880	S 244 - 263

1982 Band 1	G. Albrecht	Physik und Technologie mikrostrukturierter Funktionselemente: Beiträge der AdW der DDR für die Mikroelektronik	S 1 - 13
	A. Möschwitzer	Elektronische Eigenschaften skalierter MOS-Transistoren für VLSI-Schaltkreise - ein Überblick	S 14 - 27
	E. Köhler	Die Entwicklung der MOS-Technik zu extremen Eigenschaften: Gatterverzögerungszeiten unter hundert Pikosekunden	S 28 - 47
	He. Erzgräber	Einige physikalische und technologische Probleme bei der Realisierung skalierbarer dRAM-Zellen für VLSI-Speicher	S 48 - 58
	W. Winkler, P. Schleg	Speicherzellen für hochintegrierte dynamische RAM's	S 59 - 70
	R. Pilz	Zum Problem der Ausbeuteerhöhung bei großen dynamischen RAM-Speichern durch den Einsatz von Redundanz	S 71 - 78
	B. Dietrich	Aspekte von Mischtechnologien (Kurzfassung)	S 79 - 80
	R. Winkler	Ergebnisse und Probleme einer SOI/SOAS-Technologie	S 81 - 94
	D. Thomas	Untersuchung zum Refresh-Verhalten von dynamischen RAM-Zellen	S 95 - 103
	H. Eberius	Möglichkeiten zur Erhöhung der Empfindlichkeit von Sensorschaltungen für dynamische MOS-RAM	S 104 - 110
	U. Hartmann	Modellvorstellungen und experimentelle Ergebnisse zur Kanalinjektion in NMOS-Transistoren	S 111 - 116
	V. Hähne, F. Sohackow	Programm zur Modellierung der elektrischen Eigenschaften von Halbleiteranordnungen	S 116 - 128
	M. Auer, P. Bartsch	Die Weiterverarbeitung von Halbleiter-Chips und daraus abgeleitete Aspekte für deren Entwurf und Herstellung	S 129 - 134
	B.P. Derkatsch, B.M. Korsunski.	Über einige wichtige Probleme der Elektronenstrahl-Lithografie und Wege zu ihrer Lösung	S 135 - 154
	J. Jablonski	Der Proximityeffekt in der Elektronenstrahllithografie	S 155 - 176
	B. Schleusener	Zur Löslichkeit positiver Elektronenresists	S 177 - 190
	J. Bauer	Justiermarken für die Elektronenstrahllithografie und Testung an dem ZRM 12	S 191 - 202
	K. Grantscharow, A, Balabanowa, S. Martinow, S.Georgiew	Zum Einfluß der Justiergenauigkeit der Wolframnadelkatode	S 203 - 208
	R. Wagner, M. Herrig, J. Bauer	Zu einigen Möglichkeiten der Projektionsfotolithografie bei der Anwendung von partiell-kohärenter bzw. bi- oder polychromatischer Belichtung	S 209 - 221
	H.J. Vollmer	Überblick zur Ionenstrahl-Lithografie	S 222 - 232
	L. Wigant, E. Richter, E, Jablonski, H.-J.Lorkowski	Zur Anwendung von Negativ-Elektronenstrahlkopierlacken in der Mikrolithographie	S233 - 243
	K. Pfeiffer, B. Rapsch, H.-J. Lorkowski	Positiv-Elektronenstrahlkopierlacke für die Mikroelektronik	S 244 - 254
	S. Hähle, M. Minor	Untersuchungen zum Schleuderbeschichten von Elektronenlacken	S 255 - 270
	L. Weh	Das Oberflächenverhalten von Positivresists bei der Schichtbildung	S 271 - 275
	M. Roßberg, E. Linke, K. Pfeiffer	Massenspektrometrische Thermoanalyse zur Charakterisierung von E- und R-Resists	S 276 - 284
	St. Friedrich, A. Großmann, L. Kuhnert	Zur Entwicklungskinetik eines Positivresists	S285 - 293
	R. Oeaterle, D. Maly, D. Pötzschke, M. Reetz	Erzeugung von µm- und sub-µm-Strukturen mit reaktivem Ionenstrahlätzen unter Verwendung von Masken aus elektronenstrahlempfindlichen Resists	S 294 - 304
	B. Wiedemann, G. Götz, E.B. Kley, J. Mittenbacher	Chemische Strukturätzung ionenimplantierter Schichten	S 305 - 315
	E. Sennewald, G. Götz, J. Mittenbacher, B. Wiedemann	Bestimmung der Implantationsprofile von Bor und Phosphor in SiO2- und Si3N4-Schichten mittels chemischer Atzung	S 316 - 325
	R. Kirsch	Kontrolle der thermischen Behandlung von Elektronen-Resists mittels Ellipsometrie	S 326 - 332
	G. Fischer, M. Wäsche, I.v. Lampe, E. Linke, H.J. Lorkowski	Mikroskopische Auflichtmethode zur Untersuchung der Resistentwicklung	S 333 - 336
	D. Maly	Störschichten beim Ionenstrahlätzen	S 337 - 352
	G. Kosza, P. Valko, Th. Morgenstern, F. Richter	Wachstum epitaktischer Siliziumschichten mit definiertem Dotierungsproßil	S 353 - 360
	H. Kühne	Kinetik und Thermodynamik des Dotandeneinbaus bei der Abscheidung von Epitaxiesilizium aus der Gasphase	S 361 - 372
	F. Richter, A. Borchardt, E. Bugiel, M. Kittler, G. Weidner, H. Rausch	Zum Einfluß von Gasphasenätzung, Abscheidetemperatur und NbG-Präparation auf die Realstruktur von Silizium-Homoepitaxieschichten	S 373 - 379
	J. Schlote, D. Knoll	Axiale Inhomogenität des Temperaturprofils von Diffusionsanlagen bei Chargiervorgängen	S 380 - 389
	Th. Morgenstern, H. Kühne, F. Richter, R. Sperling	Modellmäßige Beschreibung des horizontalen CVD-Reaktors und ihre Anwendung auf die Verbesserung der Chargenhomogenität	S 390 - 397
	W. Scharff, K. Breuer, J.W. Erben, Ch. Weißmantel, H. Woitteneck, J. Matthäi, M. Voelskow, R. Klabes, A. Schmidt	Herstellung kristalliner Si-Schichten auf strukturierten amorphen SiO2-Substraten	S 398 - 402
	M. Manzel, W. Ecke, E. Steinbeiß	Abscheidung von Isolatorschichten mittels Plasmatron-Sputterquelle in Ar/SiH4/O2-Gasgemischen	S 403 - 441
	H.-D. Hempel	Phosphor-in-situ-Dotierung und -Implantation von Polysiliziumschichten	S 442 - 453
	S. Blum	Technologische Probleme beim Einsatz von Trockenätzverfahren	S 454 - 462
	B. Müller, G. Nüske	Eigenschaften in situ-P-dotierter poly-Si-Schichten	S 463 - 472
	M. Procop	Herstellung und Eigenschaften von Silizidkontakten	S 473 - 485
	H. Berger, E. Nebauer	Ohmsche und Schottky-Kontakte am GaAs	S 486 - 491

Band 2	D. Panknin, E. Wieser, H. Syhre, R. Klabes, R. Grötzschel	Implantationsprofile nach Lichtimpulsausheilung oder Niedertemperaturausheilung	S 492 - 498
	J. Matthai, M. Voelskow, R. Klabes, S. Mutze	Eigenschaften implantierter Polysiliziumschichten nach Lichtimpulsausheilung	S 499 - 505
	K. Hahmuth, K.H. Heinig, R. Klabes	Kristallisation ungeordneter Halbleiterschichten durch Bestrahlung mit Licht oder Elektronen	S 506 - 517
	G. Nagygyörgy, K. Sári, G. Kósza, M. Welther	Optimization of Boron Doped SiO2 Layer Growth	S 518 - 526
	W. Andrä, R. Herzer, K. Herre	Laserausheilung von As-implantiertem Polysilicium und Auswirkung auf die Eigenschaften von Polysilicium- und Gateoxiden	S 527 - 535
	`W. Andrä jr.	Ladungsträgerprofile und Untersuchungen zum Leitfähigkeitsmechanismus in Silizium nach Laserbestrahlung im Flüssigphasenregime	S 536 - 542
	F. Thrum, G. Götz, H.-D. Geiler, H. Hein, K. Blüthner	Pd-Silicid-Reaktion durch Millisekunden-Laserbestrahlung	S 543 - 550
	S. Krauß, H. Lippmann	Zu physikalisch-technologischen Aspekten, die die Anwendung des Prinzips der Skalierung von MOS-Transistoren begrenzen	S 551 - 568
	W. Gawalek	Schichtsysteme für integrierte Mikrowellenschaltungen	S 569 - 574
	D. Knoll, J. Schlote	Wärmetransportprozesse bei der Messung des T-Profils in Diffusionsöfen	S 575 - 583
	B. Korneffel, D.P. Morawski, H.-J. Munte	Die Anwendung von speziellen Meßverfahren zur Kontrolle der Technologie des Zyklus I bei der Produktion von optischen Sensoren	S 584 - 597
	M. Pilatzek, K.-E. Ehwald, F. Januschewski	Messung an Gateringdioden und ihre Auswertung für die Technologiekontrolle und zur Bestimmung physikalischer Parameter von CCD's mit vergrabenen Kanal (BCCDs)	S 598 - 610
	J. Quick, Ha. Erzgräber	TVS-Messung zur Prozeßkontrolle des Zyklus I	S 611 - 625
	Ch. Quick, J. Quiek	Schichtdickenmessung von Schichten der nSGT mittels UV-VIS-Spektralphotometer SPECORD M40	S 626 - 631
	K. Schmalz, P. Gaworzewski, V.V. Bolotov	Eigenschaften von sauertoffreichem Silizium infolge Wärmebehandlung bei 600°C	S 632 - 641
	J. Reichel	Widerstandsänderungen in p-Silizium durch schnelles Abkühlen nach Temperungen	S 642 - 646
	J. Doerschel, B. Lux, G. Rau	Züchtung und Charakterisierung von Siliziumformkristallen	S 647 - 652
	D. Tänzer, A. Casajus, F.-G. Kirscht	Formverhalten von großen Silizium-Scheiben bei Hochtemperaturprozessen	S 653 - 664
	G. Morgenstern, G. Weidner	TEM-Untersuchungen zum Bildungsmechanismus von Oxydationsstapelfehlern an schwachen mechanischen Oberflächenstörungen	S 665 - 671
	H. Flietner	Oberflächenuntersuchungen zur Technologie-Analyse und -Optimierung	S 672 - 680
	H. Krause	Elektrische Volumeneigenschaften thermischer SiO2-Schichten	S 681 - 688
	W. Röpke	Untersuchungen zum Isolations- und Ladungsverhalten von MOS-Proben mit sehr dünnen thermischen SiO2-Schichten	S 689 - 696
	D. Günther, M. Schmidt, F. Sprenger	Zum Aufbau der Oxidladung in MIS-Strukturen nach Generation freier Ladungsträger	S 697 - 710
	G. Weidner, G. Ritter	Defekt-Bildungsmechanismen während der Phosphordiffusion bei Dotierungskonzentrationen nahe der Löslichkeitsgrenze im Silizium	S 711 - 719
	P. Gaworzewski, F.-G. Kirscht, K. Schmalz	Zum Zusammenhang von Sauerstoff- und Defektverteilungen in Czoohralaki-Si-Scheiben nach Wärmebehandlungen	S 720 - 730
	F. Kirscht, K. Schmalz, P. Gaworzewski, I. Babanskaja, R. Bertoldi	Zur Bildung von Volumendefekten in Cz-Siliciumscheiben infolge mehrstufiger Wärmebehandlungen	S 731 - 741
	R. Gleichmann	Elektronenmikroskopische Untersuchungen zur Wirksamkeit der "Intrinsic" Getterung	S 742 - 745
	B. Hahn	Der E1nfluß von thermischer Vorbehandlung und definiertem Sauerstoffgehalt auf das Einsatzverhalten von Cz-Silizium in der Technologie NSGT	S 746 - 749
	D. Knoll, A. Fischer	Umverteilung von Schwermetallverunreinigungen im Silizium durch Phosphordiffusion	S 750 - 761
	J. Dziesiaty, K.-R. Sprung, K. Ellmer	Einfluß einer Argon-Rückseitenimplantation auf die Minoritätslebensdauer von Si-Substratscheiben	S 762 - 769
	W. Seifert, M. Kittler, E. Bugiel, G. Buchheim	Untersuchungen zum Einfluß von Verunreinigungsatmosphären auf die elektrische Aktivität von Defekten und zu deren Einfluß auf BE-Parameter	S 770 - 777
	M. Mai, F. Kirscht, R. Bertoldi, E. Bugiel	Defektausbildung in vorbehandelten Si-Scheiben nach Prozeßdurchlauß und Auswirkungen auf ausgewählte Bauelemente-Parameter	S 778 - 783
	W. Nitzsche	Optimierung des Einsatzverhaltens von Si-Substratscheiben unter Ausnutzung des Sauerstoffgehaltes	S 784 - 787
	H.-F. Hadamovsky	Probleme der Submikrometerdiagnostik	S 788 - 794
	E. Bugiel, A. Casajus, M. Kittler, G. Weidner	Komplexe Charakterisierung von Kristalldefekten im Silizium mittels Röntgentopographie-, EBIC- und TEM-Untersuchungen	S 795 - 799
	P. Zaumseil, U. Winter	Ein röntgenographisches Verfahren zur Bestimmung von Dotierungsprofilen	S 800 - 805
	J. Heydenreich	Moderne Elektronenstrahl-Diagnostikverfahren	S 806 - 822
	O. Breitenstein	Kapazitätsspektroskopie tiefer Störstellen im Rasterelektronenmikroskop	S 823 - 830
	M. Kittler, W. Seifert	Zur Charakterisierung von Halbleiter-Silizium mit der EBIC-Methode	S 831 - 841
	H. Blumtritt, L. Pasemann	Ein Verfahren zur Diffusionslängenbestimmung mit der EBIC-Technik	S 842 - 850
	E. Koch, F. Huth, W. Joachimi, W. Hergert	Rasterelektronenmikroskopischa (EBIC)- und mikroanalytische Untersuchung von Metallisierungsschichten auf Si	S 851 - 855
	Chr. Wenzel	Einsatz der Elektronen-Energieverlust-Spektrometrie (ELS) für Werkstofforschung und Analytik	S 856 - 861
	H. Koch, K. Freyer	Zur Anwendung nuklearer Analysenverfahren in der Halbleiterindustrie	S 862 - 870
	W. Rudolph, R. Grötzschel	Die Untersuchung von Schichtsystemen mittels RBS	S 871 - 878
	P. Zaumseil, U. Winter, C. Becker, R. Imamov, M. Kowalchuk	Röntgen-Dreikristalldiffraktometrie zur Untersuchung von Defekten in dünnen Oberflächenschichten und im Kristallvolumen	S 879 - 884
	K.E. Ehwald	Zum Ausräumverhalten kleiner Signalladungen bei verschiedenen Typen von CCD-Sensorelementen	S 885 - 896
	C. Becker, A. Borchardt	Diagnostik an Teststrukturen des IPW	S 897 -

1983 (10.)Band 1	Dipl.-Ing. Klaus Riediger (AEB)	Arbeitsweise und volkswirtschaftliche Effekte der Beratungs- und Informationsstellen Mikroelektronik des VEB AEB	S 1 - 10
	Dr. J. Fraikin	Eigenschaften, Anwendungsmöglichkeiten und ökonomische Effekte beim Einsatz des Arithmetik-IS U832	S 11 - 27
	Dr.-Ing. Jens Knobloch Dr.-Ing. Stefan Günter Dipl.-Ing. Wolfgang Wahl	U224 und U214 - 4096 Bit statischer Speicher-IS	S 28 - 35
	Dr.-Ing. Eckhard Fehse	LS-TTL - Eine leistungsarme Schottky-TTL Logik Serie für allgemeine Anwendungen	S 36 - 54
	Dipl.-Ing. Hennig Zinke	Integrierte Schottky-TTL Interface-Schaltkreise	S 55 - 91
	Dipl.-Ing. Gerhard Reichel	Übersicht über die CMOS-Digitalbaureihe V4000D und die volkswirtschaftlichen Vorteile bei ihrem Einsatz	S 92 - 108
	Dipl.-Ing. Rainer Zimmermann	Thermische Probleme bei der Anwendung integrierter Schaltkreise	S 109 - 119
	Dipl.-Ing. Siegfried Güldner	D345-348D - eine neue Generation leistungsarmer BCD zu 7-Segmentdecoder und die ökonomischen Effekte beim Einsatz anstelle D146/147D	S 120 - 131
	Dipl.-Phys. Andreas Junghans (FWE)	Eigenschaften, Aufbau und Einsatzmöglichkeiten des Zähler-IS U125D	S 132 - 142
	Dipl.-Ing. Karl-Heinz Kresse	Der A2030H/V - ein NF-Leistungsverstärker mit universellen Einsatzmöglichkeiten	S 143 - 169
	Dipl.-Ing. Detlef Dahms	BIFET-Operationsverstärker der Reihe B080 - B084	S 170 - 187
	Ing. Dieter Jung	Transistorarrays B315, B325, B360, B380 - eine Alternative zum wirtschaftlichen Ersatz diskreter Transitoren	S 188 - 205

Band 2	Dipl.-Ing. Ulrich Roick	B555D - ein kostengünstiger Zeitgeberschaltkreis für einen weiten Anwendungsbereich	S 206 - 224
	Dipl.-Ing. Peter Häser	E412D - ein störsicherer Schaltkreis für industrielle Steuerungen	S 225 - 243
	Dipl.-Ing. Franticek Hruby (TESLA Roznov)	Analoge Komperatoren TESLA MAC111, MAC160	S 244 - 258
	-	Neue elektronische Bauelemente aus der UdSSR	S 259 - 272
	F. Wagner	Hybridtechnik - Bemerkungen zur Aufgabenstellung und Leistungsfähigkeit dieser Mikroelektronik-Technologie	S 273 - 284
	-	Ökonomische und schaltungstechnische Effekte beim Einsatz des Multimeter-IS U126D	S 285 - 296
	-	Materialökonomische Effekte beim Einsatz des U809M	S 297 - 304
	Dipl.-Ing. Roland Fischer	B390D - ein integrierter Schaltkreis zur Drehzahlregelung kommutatorloser Kleinstmotoren mit modernster Konzeption für hochwertige Laufwerke	S 305 - 317
	Dipl.-Ing. C. Holfert (Hartha) Dr.-Ing. M. Wilhelm (Hartha) Ing. D. Zahn (Hartha)	Elektronikmotor mit IS B390 - ein Antrieb für Kassettenlaufwerke mit hohem Gebrauchswert	S 318 - 333
	Dipl.-Ing. Peter Grashoff	Die Funktion der Fernsteuerschaltkreise U806D und U807D und ihre Anwendung	S 334 - 353
	Dipl.-Ing. Bernd Seeger	Die Funktion der Uhrenschaltkreise U130X, U131G, U132X und ihr Einsatz in der Konsumgüterindustrie	S 354 - 375
	Dipl.-Phys. Hartwin Obernik Dipl.-Phys. Frank Gabriel	Elektroluminiszenz-Displays - ein neues Festkörperbauelement für die Anzeigetechnik	S 376 - 388

Band 3	Dipl.-Phys. Karl-Heinz Arnold	Ergebnisse und Erfahrungen beim Aufbau des zentralen Nachweisspeichers angewandte Mikroelektronik	S 389 - 397
	Dipl.-Ing. Hans-Jürgen Wägner	B304D, B305D, B306D - eine neue Generation von Schaltkreisen für induktive Initiatoren und allgemeinen Einsatz	S 398 - 417
	Dipl.-Ing. Herbert Sowa (MGB)	Anwendungsmöglichkeiten der IS B304D, B305D, B306D	S 418 - 438
	G. Neugebauer	Stand der Einführung des HFO-ISA-Systems	S 439 - 447
	Prof. Dr.-Ing. M. Roth (TU Ilmenau) Dipl.-Ing. W. Fengler (TU Ilmenau)	Mikrodat 80 - ein modernes Konzept zur Prozessmesswert-Verarbeitung	S 448 - 454
	Ing. Lutz Erhardt (GWS)	Energie sparen mit Leistungshalbleitern	S 455 - 461
	Dr.-Ing. Bodo Hildebrandt (GWS)	Anwendung der Leistungsschalttransitoren SU167/169	S 462 - 477

1984	(verschiedene Autoren)	III. Symposium "Physikalische Grundlagen zu Bauelementetechnologien der ME"
	(verschiedene Autoren)	III. Symposium "Physikalische Grundlagen zu Bauelementetechnologien der ME" - Programm
	(verschiedene Autoren)	III. Symposium "Physikalische Grundlagen zu Bauelementetechnologien der ME" - Programmänderungen

1985 (11.)Band 1	Dipl.-Ing. Thierfelder (ZFTM)	U8047 - ein Einchip-Mikrorechner mit 4 Bit Verarbeitungsbreite	S 1 - 12
	Dr. rer. nat. Thomas de Paly (ZFTM)	U2161 - ein 64 kBit dynamischer Speicher	S 13 - 23
	Dipl.-Ing. G. Dugnus (MME)	Neue Festwertspeicher-Bauelemente aus dem MME	S 24 - 40
	Dr.-Ing. Eckhard Fehse Dipl.-Ing. Eberhard Seeling	Erweiterung der leistungsarmen Logikreihe in Schottky-TTL-Technik	S 41 - 65
	Dipl.-Ing. Henning Zinke	B511N / B589N - integrierte Schaltungen für kostengünstige Temperaturerfassung	S 66 - 80
	Dr.-Ing. B. Kahl	C500-Reihe - ein Schaltkreissatz für Digitalvoltmeter mit 4 1/2-Digit Anzeige	S 81 - 100
	Dr.-Ing. J. Pfotenhauer	Stand und perspektivische Entwicklung von Sensoren im Bereich Elektrotechnik/Elektronik	S 101 - 110
	W. W. Batschurin	HF-MIS-Leistungstransistoren KP901, KP902, KP904, KP905, KP907, KP908	S 111 - 131
	W. A. Schachnow	Mikroprozessoren und mikroprozessorgestützte Mittel der Rechentechnik	S 132 - 162
	Ing. Helmut Jahn	A2000V / A2005V - Doppel-NF-Leistungsverstärker für den ökonomischen Einsatz in Stereo-Auto-Kofferempfängern	S 163 - 180
	Dipl.-Ing. Ulrich Roick	A3501D, A3510D, A3520D - IS für die Farbaufbereitung von PAL- und SECAM-Norm	S 181 - 200

1985 - Band 2	Dipl.-Ing. Horst Jüngling	A4100D - AM/FM-ZF-Schaltkreis mit hohem Integrationsgrad für Koffer- und Heimgeräte	S 201 - 210
	HS-Ing. Peter Edelmann	A1818D - Aufnahme-Wiedergabeverstärker für Kassetten- und Radiokassettengeräte	S 211 - 229
	Dipl.-Phys. Monika Arnold	Der Informationsdienst Mikroelektronik - wesentlicher Faktor zur Beschleunigung der Entwicklung und Anwendung mikroelektronischer Bauelemente	S 230 - 242
	Dipl.-Ing. Klaus Riediger	Ergebnisse der Beratungs- und Informationsstellen Mikroelektronik des VEB Applikationszentrum Elektronik Berlin (AEB)	S 243 - 251
	Prof. Dr. sc. G. Heymann (HUB) Dipl.-Ing. J. Denecke (WFB)	Neue optoelektronische Infrarot-Bauelemente	S 252 - 259
	Dipl.-Ing. Hartmut Berndt (ZFTM)	Gefährdung elektronischer Bauelemente durch elektrostatische Entladung (ESD)	S 260 - 270
	Dipl.-Ing. Georg Bendlin	Der Taschenrechnerschaltkreis U825G als Echtzeituhr im K1520-System	S 271 - 282
	Dipl.-Ing. K.-D. Kirves	U826G als Arithmetikprozessor im K1520	S 283 - 296
	Dipl.-Ing. H. Kieser	U8000 - ein leistungsfähiges 16Bit-Mikroprozessorsystem	S 297 - 308
	Dipl.-Ing. Mario Bankel	Übersicht über die 8Bit-Einchipmikrorechner des VEB Mikroelektronik "Karl Marx" Erfurt (MME)	S 309 - 326
	Dipl.-Ing. Detlef Dahms	Leistungsarme Operationsverstärker der Reihe B060 ... B066D in BiFET-Technologie	S 327 - 340
	Dr.-Ing. Jürgen Dietrich Dr.-Ing. Bernd Kahl	10- und 8Bit-AD-Wandlerschaltkreise C571D und C570D	S 341 - 348
	Dipl.-Ing. Horst Zinke HS-Ing. Manfred Kulesch	8-, 10- 12Bit-DA-Wandlerschaltkreise C565D, C5650D, C5658D	S 349 - 357
	Dipl.-Ing. Werner Dennstedt	U807D als Tastaturinterface für den Heimcomputer HC900, bzw. für Mikrorechnersysteme auf U880-Basis	S 358 - 369
	Dipl.-Ing. Karrasch	E310D - Intergrierter Blinkgeberschaltkreis für den Einsatz in Personen- und Nutzfahrzeugen	S 370 - 391

1985 - Band 3	Dipl.-Ing. Wilfred Löffler (AEB)	Neue diskrete Halbleiter-Bauelemente aus dem RGW	S 392 - 399
	H. W. Mittenentzwei	Konstruktion und Eigenschaften hochsperrender Silizium-Leistungsschalttransitoren	S 400 - 419
	H. Conrad; H. Güldner K. Lehnert; U. Nicolai	Erfahrungen und Probleme beim Einsatz moderner Leistungs-Halbleiterbauelemente	S 420 - 451
	M. Kronberg W. Schreiter (GWS)	Anwendung von Leistungsschalttransistoren	S 452 - 470
	Dipl.-Phys. Peter Brüseke Dr. Lothar Elstner (ZI EPh)	Schottky-Dioden-Parameter und applikative Aspekte - SY525, SY526	S 471 - 483
	Dipl.-Ing. Kurt Biebler (AEB)	Sensoren und Sensortechnik auf Basis der Halbleitertechnik des VEB KME	S 384 - 391
	Dr. Dieter Bühling (KKWH)	Keramische Sensoren	S 492 - 511
	Dr.-Ing. R. Mäder Dipl.-Phys. P. Reinhardt (EBT)	Sensoren auf Basis Folien	S 512 - 521
	Manfred Schulz (GWS)	Übersicht zum Bauelemente-Sortiment der Leistungselektronik	S 522 - 531

1987 (12.)Band 1	Dipl.-Ing. Gerd Krybus (IfAM - AEB)	Ingenieurbetriebe für die Anwendung der Mikroelektronik (IfAM)	S 1 - 11
	Dr.-Ing. Ecke/Gobelny (ZFTM)	Testmethodik von Gate-Array-Schaltkreisen	S 12 - 16
	Dipl.-Ing. Frank Reimann (IfAM KMSt)	Rationelle Entwicklung bei objektkonkreter Software beim Einsatz der PKS100/200	S 17 - 30
	Dr.-Ing. H. Greiner (MSN)	Allgemeine Entwicklungsrichtungen bei Transistoren	S 31 - 44
	Dipl.-Ing. Höpfner (IfAM FfO)	Mikroelektronische Steuerung für biotechnologische Prozesse bei der Molkeverhefung	S 45 - 50
	Dipl.-Ing. Wolfgang Riegel (MLS)	RBSOA - Der sichere Arbeitsbereich beim Ausschalten von Leistungsschalttransistoren	S 51 - 57
	Dipl.-Ing. Hofrichter (ZMD)	Speicher IC U6516D	S 58 - 65
	Dipl.-Ing. Eberhard Böhl (ZMD)	Der Floppy-Disk-Controller U8272D	S 66 - 81
	Dipl.-Ing. Egon Schröpfer (MME)	U714P - ein universeller LCD-Matrizensteuerschaltkreis	S 82 - 97

1987 - Band 2	Dipl.-Ing. Peter Grasshoff	Ein digitalen Absimm- und Anzeigesystem für Rundfunkempfänger mit verfügbaren Bauelementen	S 98 - 112
	Dipl.-Ing. Zielosko; Ing. Jansen Dr.-Ing. Karolewski (MME)	Zur Entwicklung der Zuverlässigkeitsarbeit an unipolaren Schaltkreisen	S 113 - 114
	- (KKWH)	Analoge Hybridschaltkreise für Mikrorechner-Peripherie	S 115 - 131
	Dipl.-Ing. Hermann (AEB)	U2148D - ein statischer Speicher mit schnellen Zugriffszeiten	S 132 - 142
	Dipl.-Ing. Mario Bankel (MME)	Der Grafik-Display-Controller U82720D - Technische Daten und Applikation	S 143 - 155
	Dipl.-Ing. Gerhard Dugnus (MME) Dipl.-Ing. Siegmar Müller	ROM-Schaltkreis U2365D45 BM200 ergänzst den UB8830	S 156 - 176
	Dipl.-Ing. Klaus-Dieter Möller (MME)	Der PLL-Synthesizerschaltkreis U1056D und seine Anwendung	S 177 - 191

1987 - Band 3	Dipl.-Ing. Klaus Storch (KWH) Dipl.-Ing Roland Fischer (HFO)	Integrierte Präzisionsstromquellen B724X, B7240X in hochauflösenden hybriden DA-Wandlern	S 192 - 198
	Dipl.-Ing. Detlef Dahms	B4206, B4207, B4211 - Familie integrierter Schaltkreise zur Phasenanschnittsteuerung von Triac's und Thyristoren	S 199 - 220
	Dipl.-Ing. E. Seeling Dr.-Ing. E. Fehse	Weitere Schaltkreise der leistungsarmen Logikreihe in Schottky-TTL-Technik	S 221 - 247
	Dipl.-Ing. Henning Zinke	C560D - mikroprozessorkompatibler 8Bit DA-Wandler	S 248 - 259
	Dipl.-Ing. Gerhard Neugebauer	Durchgängiges Entwurfsystem für ISA-Kundenschaltkreise	S 260 - 267
	Dipl.-Ing. Klaus Christen	C574 - leistungsfähiger 12Bit A/D-Wandler	S 268 - 277
	Dipl.-Ing. E. Kulla	B4002D - ein Ansteuerschaltkreis für Leistungsschalttransistoren	S 278 - 292

1987 - Band 4	Dipl.-Phys. Günter Gittner	CMOS Analog-Digitalwandler C7136D	S 293 - 306
	Dipl.-Ing. Eberhard Seeling	Kurzschlußfester Treiberschaltkreis E435E	S 307 - 322
	HS-Ing. Peter Edelmann	A1524D - kostengünstige, hochintegrierte NF-Stereo-Einstellkombination	S 323 - 338
	M. Schulz (MLS)	Zur Entwicklung der Leistungselektronik in der DDR	S 339 - 346
	Dipl.-Ing. Thomas Birke (FWB)	Der ISA-Schaltkreis K630D - Eigenschaften und Anwendung als ZF-Verstärker	S 347 - 357
	M. Dinter (ZFTN)	Steuerschaltkreis KD310 für Teilnehmereinrichtungen	S 358 - 369
	Dr. Volker Tüngler (ZFTN)	Der Fehlerortungsschaltkreis KD320 für PCM-Taktaufbau Prüfung und Eigenschaften	S 370 - 377
	Dr. Volker Tüngler (ZFTN) Andreas Buchelt	Erfahrungen aus der gemeinsamen Entwicklung nachrichtenspezifischer Schaltkreise und zu ziehende Schlußfolgerungen für die weitere Zusammenarbeit	S 378 - 386

1987 - Band 5	Dr.-Ing. Bodo Hildebrandt (MLS)	Schaltverhalten der Silizium-npn-Darlington-Leistungsschaltransistoren der Reihe SU510 bei induktiver Last	S 387 - 397
	Dipl.-Ing. Horst Jüngling	ISA-Schaltkreis AK317 - Eigenschaften	S 398 - 416
	Dipl.-Phys. Gerd Daute (ZIM)	Ergebnisse des Entwurfs des Gate-Array U5201PC-501 - Auswertelogik für inkrementale Wegmeßsysteme (MELS1)	S 417 - 431
	- TESLA	Digitale integrierte Schaltkreise ALS-TTL	S 432 - 446
	Dipl.-Ing. Ladislav Jakub (TESLA Roznov)	Neue bipolare PROM-Speicher	S 447 - 465

1989 (12.)Band 1	Jens Knobloch (ZMD)	Der Megabitspeicher U61000	S 3 - 8
	G. Erbert, W. Hörnlein, A. Klehr (ZI-OS der AdW)	Charaktrerisierung von Halbleiterlasern für die Lichtleiter-Nachrichtenübertagung	S 9 - 20
	Christoph Meinel (MSN)	Mikrowellentransistoren aus dem VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus	S 21 - 35
	G. Erbert, J. Frahm, A. Bärwolff (ZI-OS der AdW)	Laserdioden und Lasermodule für die Lichtleiter-Nachrichtenübertagung (LLNO)	S 36 - 49
	H. Greiner, M. Rosenbusch (MSN)	GaAs-Transistoren der Typenreihe VFE15	S 50 - 69
	Gerhard Kohl (FWB-K)	Sende- und Empfangsbauelemente in den Systemen der LWL-Nachrichtenübertagung	S 70 - 72
	Henry Hörnicke (ZeG Mittweida)	SMD-Technik im wissenschaftlichen Gerätebau	S 73 - 76
	B. Röding (EAW-ZFT)	Hybrid-integrierte Schaltungen für Lichtwellenleiter- Kurzstreckenübertragung (LLKÜ) Sender OS8,5M; Empfänger OE8,5M	S 77 - 86
	Dr. Heinz Döring (IHS Mittweida)	Einsatz des A/D-Wandlers C574 für Messungen mit einer Auflösung von mehr als 15Bit	S 87 - 95
	Bernd Kahl	U736D, U739D, U670C - Weiterentwicklungen auf dem Gebiet der Analog-Digital-Wandler	S 96 - 120

1989 - Band 2	Uwe Beier	Gleichspannungswandler mit hohem Wirkungsgrad und großem Ausgangsstrom (B2960) und zur Betriebspannungsversorgung von Kleinleistungsstufen (U7660)	S 121 - 149
	Hans-Peter Karrasch	A1670V - eine betriebssichere Vertikalablenkschaltung für Farbfernsehgeräte	S 150 - 165
	Helmut Jahn	Der B466GA - ein Hall-IS für die KFZ-Technik	S 166 - 192
	Eckhard Fehse	U4541DG - Timer-IS für Zeitrelais und allgemeinen industriellen Einsatz	S 193 - 211

1989 - Band 3	Eberhard Seeling	8Bit-Treiberschaltkreis D4803DC	S 212 - 236
	H. H. Krüger, D. Drechsler, F. Richter	B2600 - moderner Sekundär-Schaltkreis für industrielle Schaltnetzteile	S 237 - 251
	Dipl.-Ing T. Stautmeister Dr. rer. nat. B. Lux (ZFT Robotron)	Gatearray-Einsatz im intelligenten CCD-Zeilensensor für die schnelle Binärbildauswertung (U5201-FC901... 903)	S 252 - 260
	G. Fleischmann, G. Klock, F. Krumbein, T. Spaete (MME), V. Pfeiffer (WMF)	U840PC - Spezialprozessor für binäre speicherprogrammierbare Steuerungen	S 261 - 273
	Jochen Albrecht (ZI-EPh der AdW)	Galliumarsenid-Bauelemente	S 274 - 280
	U. Plauschin, K.-E. Ehwald, K. Engel, P. Schley (IHP der AdW, ZWG)	L115C und L173C - Spezielle CCD-Sensoren für die optische Spektroskopie	S 280 - 290

1989 - Band 4	Frantisek Hruby (TESLA Roznov)	Präzision-Intrumentenverstärker MAC524C, MAC626C	S 291 - 317
	Frantisek Hruby (TESLA Roznov)	Präzisions-Spannungsreferenz MAC199	S 318 - 335
	Detlef Dahms	B411DD - Präzisions-Operationsverstärker B4204DE / B4205DE - IS für Nullspannungsschalter	S 336 - 353
	W. R. Sieron (ZMD)	VLSI - Entwurfssystem für U1600	S 354 - 368
	Hans-Friedrich Hadamovsky (ZI-EPh der AdW)	Schaltleistungs-Bauelemente - Stand und Perspektiven	S 369 - 381
	Michael Ritter (MME)	8Bit-CMOS-Mikroprozessorsystem U84C00	S 382 - 389

1989 - Band 5	Dipl.-Ing K. Schröter, Dipl.-Ing G. Weißbach, Dipl.-Ing. B. Pritzke (FZ MWB)	Anwenderspezifische Schaltkreise für die Steuerung SPS7010	S 390 - 399
	Klaus-Dieter Möller (MME)	Der 64k-EPROM U2764CC - Technische Beschreibung und Programmiertechniken	S 400 - 416
	Frank Meinecke (MME)	Fehlererkennungs- und Korrekturschaltkreis U80608	S 417 - 427
	Wilfried Schmidt (MME)	DRAM-Controllerm U80610	S 428 - 438
	Volkmar Heilbock (MME)	U80606DC - Der Bus-Controller für den schnellen 16Bit-Miroprozessor U80601	S 439 - 452
	Marko Schmidt (MME)	Periphere Schaltkreise CIO und SCC	S 453 - 478
	Bodo Hildebrandt (MLS)	Ausgewählte Meßergebnisse zur Anwendung der Silizium npn- Darlington-Leistungsschalttransitoren SU520, SU519, SU518	S 479 - 485

1989 - Band 6	Wilfried Hofrichter (ZMD)	64kBit statischer CMOS-Speicher U6264D	S 486 - 501
	Thomas Wolf (ZMD)	4kBit statischer CMOS-Speicher U6548	S 502 - 515
	Gerhard Reichel (MME)	Die schnelle CMOS-Logik-Baureihe U74HCT000DK des VEB Mikroelektronik "Karl-Marx" Erfurt	S 516 - 544
	H. W. Stange, H. Klein (ZFT KNE)	Einsatzerfahrungen mit aufsetzbaren Bauelementen (SMD)	S 545 - 557
	Siegmund Kobilke (WFB)	Lichtwellenleiter-Kurzstreckenübertragung	S 558 - 576

1989 - Band 7	Michael Gieseler, Manfred Sorst (KCZ)	Gate-Array-Schaltkreissystem U5300	S 577 - 598
	Christian Rößler (WFB)	MQE10 - Eine dreistellige Lichtemitteranzeige mit AD-Wandler-Funktion	S 599 - 607
	Werner Müller (Robotron-MKD)	Ergebnisse und Vorteile eines engen Zusammenwirkens des VEB Kombinat Robotron mit der Bauelementeindustrie beim Entwurf und der Entwicklung neuer kundenspezifischer Schaltkreise (ASIC-SKE für den BIC)	S 608 - 615
	Klaus Illgen (WFB)	TV-Bildaufnahmesensoren mit Farbfilter	S 616 - 619
	E. Ahrenz, D. Hammer, U. Kucharzyk, H. Pietsch (IfIR der AdW)	Einsatz moderner Mikroprozessoren in Multiprozessorsystemen mit konfigurierbarer Leistung und Zuverlässigkeit	S 620 - 635